Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donortoestand.ⓘ Donor concentratie [N_d]			+10% -10%
✖Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van Electron [μ_n]			+10% -10%

✖Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een extrinsiek halfgeleidermateriaal van n-type kan gaan.ⓘ Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type [σ_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Formule

`"σ"_{"n"} = "N"_{"d"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"}`

Voorbeeld

`"5.767836S/m"="2e17/m³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) - (Gemeten in Siemens/Meter) - Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een extrinsiek halfgeleidermateriaal van n-type kan gaan.
Donor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donortoestand.
Mobiliteit van Electron - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Donor concentratie: 2E+17 1 per kubieke meter --> 2E+17 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Mobiliteit van Electron: 180 Vierkante meter per volt per seconde --> 180 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

Evalueren ... ...

σ_n = 5.767835832

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.767835832 Siemens/Meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens/Meter <-- Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type)

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Formule

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

Wat zijn extrinsieke halfgeleiders?

Extrinsieke halfgeleiders zijn slechts intrinsieke halfgeleiders die zijn gedoteerd met onzuiverheidsatomen (in dit geval eendimensionale substitutiedefecten). Doping is het proces waarbij halfgeleiders hun elektrische geleidbaarheid vergroten door atomen van verschillende elementen in hun rooster te introduceren.

Wat is een extrinsieke halfgeleider van het n-type?

Een n-type halfgeleider ontstaat wanneer zuivere halfgeleiders, zoals Si en Ge, worden gedoteerd met vijfwaardige elementen. wanneer een halfgeleider is gedoteerd met een vijfwaardig atoom, zijn elektronen de meeste ladingsdragers. Aan de andere kant zijn de gaten de minderheidsladingsdragers. Daarom worden dergelijke extrinsieke halfgeleiders n-type halfgeleiders genoemd. In een n-type halfgeleider, Aantal vrije elektronen >> Aantal gaten

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!