Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N Calculadora

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Características do semicondutor

Características do Diodo

Características do portador de carga

Parâmetros Eletrostáticos

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖A concentração doadora é a concentração de elétrons no estado doador.ⓘ Concentração de Doadores [N_d]			+10% -10%
✖A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Elétron [μ_n]			+10% -10%

✖A condutividade de semicondutores extrínsecos (tipo n) é a medida da facilidade com que uma carga elétrica ou calor pode passar através de um material semicondutor extrínseco do tipo n.ⓘ Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N [σ_n]

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Fórmula

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Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N

Fórmula

`"σ"_{"n"} = "N"_{"d"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"}`

Exemplo

`"5.767836S/m"="2e17/m³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s"`

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Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Variáveis Usadas

Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade de semicondutores extrínsecos (tipo n) é a medida da facilidade com que uma carga elétrica ou calor pode passar através de um material semicondutor extrínseco do tipo n.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração doadora é a concentração de elétrons no estado doador.
Mobilidade do Elétron - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Doadores: 2E+17 1 por metro cúbico --> 2E+17 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Mobilidade do Elétron: 180 Metro quadrado por volt por segundo --> 180 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

Avaliando ... ...

σ_n = 5.767835832

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

5.767835832 Siemens/Metro --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens/Metro <-- Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n)

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Verificado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

< 13 Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores

Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)

Função de Distribuição de Fermi Dirac

Vai Função de Distribuição de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nível Fermi de Energia-Nível Fermi de Energia)/([BoltZ]*Temperatura)))

Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron

Comprimento de difusão de elétrons

Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)

Gap de banda de energia

Vai Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)

Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2

Densidade de corrente de deriva

Vai Densidade de corrente de deriva = Densidade atual dos furos+Densidade de Corrente Eletrônica

Mobilidade de Portadores de Carga

Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico

Tensão de saturação usando tensão limite

Vai Tensão de saturação = Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar

Campo elétrico devido à tensão Hall

Vai Campo Elétrico Hall = Tensão Hall/Largura do Condutor

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N Fórmula

Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

O que são semicondutores extrínsecos?

Semicondutores extrínsecos são apenas semicondutores intrínsecos que foram dopados com átomos de impureza (defeitos substitucionais unidimensionais neste caso). Dopagem é o processo em que semicondutores aumentam sua condutividade elétrica, introduzindo átomos de diferentes elementos em sua rede.

O que é semicondutor extrínseco tipo n?

Um semicondutor do tipo n é criado quando semicondutores puros, como Si e Ge, são dopados com elementos pentavalentes. quando um semicondutor é dopado com um átomo pentavalente, os elétrons são os principais portadores de carga. Por outro lado, os buracos são os portadores de encargos minoritários. Portanto, esses semicondutores extrínsecos são chamados de semicondutores do tipo n. Em um semicondutor tipo n, número de elétrons livres >> número de lacunas

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