Longueur de diffusion d'électrons Calculatrice

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Caractéristiques des semi-conducteurs

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Paramètres électrostatiques

✖La constante de diffusion électronique fait référence à une propriété matérielle qui décrit la vitesse à laquelle les électrons se diffusent à travers le matériau en réponse à un gradient de concentration.ⓘ Constante de diffusion électronique [D_n]			+10% -10%
✖La durée de vie des porteurs minoritaires est utilisée pour déterminer la longueur de diffusion des électrons.ⓘ Porteur minoritaire à vie [τ_n]			+10% -10%

✖La longueur de diffusion des électrons est liée à la durée de vie du porteur par la diffusivité.ⓘ Longueur de diffusion d'électrons [L_n]

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Formule

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Longueur de diffusion d'électrons

Formule

`"L"_{"n"} = sqrt("D"_{"n"}*"τ"_{"n"})`

Exemple

`"44.99123cm"=sqrt("44982.46cm²/s"*"45000μs")`

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Longueur de diffusion d'électrons Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 3 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Longueur de diffusion d'électrons - (Mesuré en Mètre) - La longueur de diffusion des électrons est liée à la durée de vie du porteur par la diffusivité.
Constante de diffusion électronique - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion électronique fait référence à une propriété matérielle qui décrit la vitesse à laquelle les électrons se diffusent à travers le matériau en réponse à un gradient de concentration.
Porteur minoritaire à vie - (Mesuré en Deuxième) - La durée de vie des porteurs minoritaires est utilisée pour déterminer la longueur de diffusion des électrons.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Constante de diffusion électronique: 44982.46 Centimètre carré par seconde --> 4.498246 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Porteur minoritaire à vie: 45000 Microseconde --> 0.045 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L_n = sqrt(D_n*τ_n) --> sqrt(4.498246*0.045)

Évaluer ... ...

L_n = 0.449912291452456

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.449912291452456 Mètre -->44.9912291452456 Centimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

44.9912291452456 ≈ 44.99123 Centimètre <-- Longueur de diffusion d'électrons

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques des semi-conducteurs Calculatrices

Conductivité dans les semi-conducteurs

Aller Conductivité = (Densité d'électron*[Charge-e]*Mobilité de l'électron)+(Densité des trous*[Charge-e]*Mobilité des trous)

Fonction de répartition de Fermi Dirac

Aller Fonction de répartition de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Niveau d'énergie de Fermi-Niveau d'énergie de Fermi)/([BoltZ]*Température)))

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron

Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous

Longueur de diffusion d'électrons

Aller Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)

Écart de bande d'énergie

Aller Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Niveau de Fermi des semi-conducteurs intrinsèques

Aller Semi-conducteur intrinsèque de niveau de Fermi = (Énergie de bande de conduction+Énergie de la bande de cantonnière)/2

Densité de courant de dérive

Aller Densité de courant de dérive = Densité de courant des trous+Densité de courant électronique

Mobilité des Porteurs de Charge

Aller Porteurs de charge Mobilité = Vitesse de dérive/Intensité du champ électrique

Tension de saturation utilisant la tension de seuil

Aller Tension de saturation = Tension de source de grille-Tension de seuil

Champ électrique dû à la tension Hall

Aller Hall Champ électrique = Tension Hall/Largeur du conducteur

Longueur de diffusion d'électrons Formule

Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)

Quelle est la longueur de diffusion des électrons?

La longueur de diffusion est la longueur moyenne qu'un porteur se déplace entre la génération et la recombinaison. Les matériaux semi-conducteurs fortement dopés ont des taux de recombinaison plus élevés et, par conséquent, des longueurs de diffusion plus courtes. Des longueurs de diffusion plus élevées indiquent des matériaux avec des durées de vie plus longues et sont, par conséquent, une qualité importante à prendre en compte avec les matériaux semi-conducteurs.

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