Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili
Costanti utilizzate
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Variabili utilizzate
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività dei semiconduttori estrinseci (tipo n) è la misura della facilità con cui una carica elettrica o un calore può passare attraverso un materiale semiconduttore estrinseco di tipo n.
Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato del donatore.
Mobilità dell'elettrone - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione dei donatori: 2E+17 1 per metro cubo --> 2E+17 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Mobilità dell'elettrone: 180 Metro quadrato per Volt al secondo --> 180 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Valutare ... ...
σn = 5.767835832
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.767835832 Siemens/Metro --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.767835832 5.767836 Siemens/Metro <-- Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n)
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori
​ LaTeX ​ Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)
Lunghezza di diffusione elettronica
​ LaTeX ​ Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)
Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci
​ LaTeX ​ Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2
Mobilità dei vettori di carica
​ LaTeX ​ Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N Formula

​LaTeX ​Partire
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone
σn = Nd*[Charge-e]*μn

Cosa sono i semiconduttori estrinseci?

I semiconduttori estrinseci sono solo semiconduttori intrinseci che sono stati drogati con atomi di impurità (difetti sostituzionali unidimensionali in questo caso). Il doping è il processo in cui i semiconduttori aumentano la loro conduttività elettrica introducendo atomi di diversi elementi nel loro reticolo.

Cos'è il semiconduttore estrinseco di tipo n?

Un semiconduttore di tipo n viene creato quando semiconduttori puri, come Si e Ge, sono drogati con elementi pentavalenti. quando un semiconduttore è drogato con un atomo pentavalente, gli elettroni sono i principali portatori di carica. D'altra parte, i fori sono i portatori di carica di minoranza. Pertanto, tali semiconduttori estrinseci sono chiamati semiconduttori di tipo n. In un semiconduttore di tipo n, Numero di elettroni liberi >> Numero di buchi

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