Courant dans le canal d'inversion du PMOS Calculatrice

✖La largeur de jonction est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.ⓘ Largeur de jonction [W]			+10% -10%
✖La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.ⓘ Charge de couche d'inversion [Q_p]			+10% -10%
✖La vitesse de dérive de la couche d'inversion dans un MOSFET est la vitesse moyenne des électrons qui composent la couche d'inversion lorsqu'ils se déplacent à travers le matériau sous l'influence d'un champ électrique.ⓘ Vitesse de dérive d'inversion [V_y]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).ⓘ Courant dans le canal d'inversion du PMOS [I_d]

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Formule

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Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Formule

`"I"_{"d"} = ("W"*"Q"_{"p"}*"V"_{"y"})`

Exemple

`"29.59649mA"=("1.19m"*"0.0017C/m²"*"1463cm/s")`

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Courant dans le canal d'inversion du PMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)
I_d = (W*Q_p*V_y)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).
Largeur de jonction - (Mesuré en Mètre) - La largeur de jonction est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.
Charge de couche d'inversion - (Mesuré en Coulomb au mètre carré) - La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.
Vitesse de dérive d'inversion - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive de la couche d'inversion dans un MOSFET est la vitesse moyenne des électrons qui composent la couche d'inversion lorsqu'ils se déplacent à travers le matériau sous l'influence d'un champ électrique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de jonction: 1.19 Mètre --> 1.19 Mètre Aucune conversion requise
Charge de couche d'inversion: 0.0017 Coulomb au mètre carré --> 0.0017 Coulomb au mètre carré Aucune conversion requise
Vitesse de dérive d'inversion: 1463 Centimètre par seconde --> 14.63 Mètre par seconde (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d = (W*Q_p*V_y) --> (1.19*0.0017*14.63)

Évaluer ... ...

I_d = 0.02959649

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.02959649 Ampère -->29.59649 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

29.59649 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Aman Dhussawat

INSTITUT DE TECHNOLOGIE GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NEW DELHI

Aman Dhussawat a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 14 Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain global du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2*(1+Tension entre drain et source/modulus(Tension précoce))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Effet corporel dans PMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Drainer le courant de la source au drain

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Aller Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde

Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Charge de couche d'inversion dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Aller Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Tension de surmultiplication du PMOS

Aller Tension efficace = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil)

Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Aller Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde

Courant dans le canal d'inversion du PMOS Formule

Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)
I_d = (W*Q_p*V_y)

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