Strom im Inversionskanal von PMOS Taschenrechner

✖Die Verbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.ⓘ Breite der Kreuzung [W]			+10% -10%
✖Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird.ⓘ Ladung der Inversionsschicht [Q_p]			+10% -10%
✖Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen.ⓘ Driftgeschwindigkeit der Inversion [V_y]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.ⓘ Strom im Inversionskanal von PMOS [I_d]

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Formel

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Strom im Inversionskanal von PMOS

Formel

`"I"_{"d"} = ("W"*"Q"_{"p"}*"V"_{"y"})`

Beispiel

`"29.59649mA"=("1.19m"*"0.0017C/m²"*"1463cm/s")`

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Strom im Inversionskanal von PMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)
I_d = (W*Q_p*V_y)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Breite der Kreuzung - (Gemessen in Meter) - Die Verbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.
Ladung der Inversionsschicht - (Gemessen in Coulomb pro Quadratmeter) - Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird.
Driftgeschwindigkeit der Inversion - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Breite der Kreuzung: 1.19 Meter --> 1.19 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Ladung der Inversionsschicht: 0.0017 Coulomb pro Quadratmeter --> 0.0017 Coulomb pro Quadratmeter Keine Konvertierung erforderlich
Driftgeschwindigkeit der Inversion: 1463 Zentimeter pro Sekunde --> 14.63 Meter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = (W*Q_p*V_y) --> (1.19*0.0017*14.63)

Auswerten ... ...

I_d = 0.02959649

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.02959649 Ampere -->29.59649 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

29.59649 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUT FÜR TECHNOLOGIE (GTBIT), NEU-DELHI

Aman Dhussawat hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

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Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2*(1+Spannung zwischen Drain und Source/modulus(Frühe Spannung))

Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*((Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))*Spannung zwischen Drain und Source-1/2*(Spannung zwischen Drain und Source)^2)

Körpereffekt in PMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal)

Backgate-Effektparameter in PMOS

Gehen Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität

Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2

Strom im Inversionskanal von PMOS

Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

Gehen Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Ladung der Inversionsschicht in PMOS

Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung)

Übersteuerungsspannung von PMOS

Gehen Effektive Spannung = Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung)

Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

Gehen Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität

Strom im Inversionskanal von PMOS Formel

Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)
I_d = (W*Q_p*V_y)

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