Corrente nel canale di inversione del PMOS calcolatrice

✖La larghezza della giunzione è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.ⓘ Larghezza della giunzione [W]			+10% -10%
✖La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.ⓘ Carica dello strato di inversione [Q_p]			+10% -10%
✖La velocità di deriva dello strato di inversione in un MOSFET è la velocità media degli elettroni che compongono lo strato di inversione mentre si muovono attraverso il materiale sotto l'influenza di un campo elettrico.ⓘ Velocità di deriva dell'inversione [V_y]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).ⓘ Corrente nel canale di inversione del PMOS [I_d]

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Corrente nel canale di inversione del PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione)
I_d = (W*Q_p*V_y)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Larghezza della giunzione - (Misurato in Metro) - La larghezza della giunzione è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.
Carica dello strato di inversione - (Misurato in Coulomb per metro quadrato) - La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.
Velocità di deriva dell'inversione - (Misurato in Metro al secondo) - La velocità di deriva dello strato di inversione in un MOSFET è la velocità media degli elettroni che compongono lo strato di inversione mentre si muovono attraverso il materiale sotto l'influenza di un campo elettrico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza della giunzione: 1.19 Metro --> 1.19 Metro Nessuna conversione richiesta
Carica dello strato di inversione: 0.0017 Coulomb per metro quadrato --> 0.0017 Coulomb per metro quadrato Nessuna conversione richiesta
Velocità di deriva dell'inversione: 1463 Centimetro al secondo --> 14.63 Metro al secondo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_d = (W*Q_p*V_y) --> (1.19*0.0017*14.63)

Valutare ... ...

I_d = 0.02959649

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.02959649 Ampere -->29.59649 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

29.59649 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR ISTITUTO DI TECNOLOGIA (GTBIT), NUOVA DELHI

Aman Dhussawat ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

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Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

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