Sperrschichtkapazität Taschenrechner

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✖Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.ⓘ Kreuzungsbereich [A_j]			+10% -10%
✖Konstanter Längenversatz bezieht sich auf eine feste oder konstante Anpassung, die zu einer gemessenen oder angegebenen Länge addiert oder von dieser subtrahiert wird.ⓘ Konstanter Längenversatz [k]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der der Base hinzugefügten Verunreinigungen.ⓘ Dopingkonzentration der Base [N_B]			+10% -10%
✖Die Quellenspannung ist die Differenz des elektrischen Potentials zwischen zwei Punkten, die als die Arbeit definiert ist, die pro Ladungseinheit benötigt wird, um eine Testladung zwischen den beiden Punkten zu bewegen.ⓘ Quellenspannung [V]			+10% -10%
✖Quellenspannung 1 ist der Druck von der Stromquelle eines elektrischen Stromkreises, der geladene Elektronen (Strom) durch eine leitende Schleife drückt, wodurch sie Arbeit verrichten können, z. B. ein Licht erleuchten.ⓘ Quellenspannung 1 [V₁]			+10% -10%

✖Die Sperrschichtkapazität ist als die Kapazität definiert, die sich in einer PN-Sperrschichtdiode unter Sperrvorspannung bildet.ⓘ Sperrschichtkapazität [C_j]

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Formel

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Sperrschichtkapazität

Formel

`"C"_{"j"} = ("A"_{"j"}/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"k"*"N"_{"B"})/("V"-"V"_{"1"}))`

Beispiel

`"0.02304μF"=("5401.3µm²"/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"1.59μm"*"1e28/m³")/("120V"-"50V"))`

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Sperrschichtkapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))
C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 1 Funktionen, 6 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Sperrschichtkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Sperrschichtkapazität ist als die Kapazität definiert, die sich in einer PN-Sperrschichtdiode unter Sperrvorspannung bildet.
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.
Konstanter Längenversatz - (Gemessen in Meter) - Konstanter Längenversatz bezieht sich auf eine feste oder konstante Anpassung, die zu einer gemessenen oder angegebenen Länge addiert oder von dieser subtrahiert wird.
Dopingkonzentration der Base - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der der Base hinzugefügten Verunreinigungen.
Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Quellenspannung ist die Differenz des elektrischen Potentials zwischen zwei Punkten, die als die Arbeit definiert ist, die pro Ladungseinheit benötigt wird, um eine Testladung zwischen den beiden Punkten zu bewegen.
Quellenspannung 1 - (Gemessen in Volt) - Quellenspannung 1 ist der Druck von der Stromquelle eines elektrischen Stromkreises, der geladene Elektronen (Strom) durch eine leitende Schleife drückt, wodurch sie Arbeit verrichten können, z. B. ein Licht erleuchten.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kreuzungsbereich: 5401.3 Quadratmikrometer --> 5.4013E-09 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Konstanter Längenversatz: 1.59 Mikrometer --> 1.59E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Dopingkonzentration der Base: 1E+28 1 pro Kubikmeter --> 1E+28 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Quellenspannung: 120 Volt --> 120 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Quellenspannung 1: 50 Volt --> 50 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁)) --> (5.4013E-09/2)*sqrt((2*[Charge-e]*1.59E-06*1E+28)/(120-50))

Auswerten ... ...

C_j = 2.30402951890085E-08

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.30402951890085E-08 Farad -->0.0230402951890085 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0230402951890085 ≈ 0.02304 Mikrofarad <-- Sperrschichtkapazität

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität

Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))

Länge der p-seitigen Verbindung

Gehen Länge der P-seitigen Kreuzung = (Optischer Strom/([Charge-e]*Kreuzungsbereich*Optische Erzeugungsrate))-(Kreuzungsübergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs)

Serienwiderstand im P-Typ

Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang

Serienwiderstand im N-Typ

Gehen Serienwiderstand im N-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Reihenwiderstand im P-Übergang

Kreuzungsübergangsbreite

Gehen Kreuzungsübergangsbreite = Ladungsdurchdringung N-Typ*((Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)/Akzeptorkonzentration)

Sperrschichtspannung

Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom

Querschnittsbereich der Kreuzung

Gehen Kreuzungsbereich = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Akzeptorkonzentration)

Akzeptorkonzentration

Gehen Akzeptorkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich)

N-Typ-Breite

Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

Spenderkonzentration

Gehen Spenderkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung P-Typ*Kreuzungsbereich)

Gesamtakzeptanzgebühr

Gehen Gesamtakzeptanzgebühr = [Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration

Absorptionskoeffizient

Gehen Absorptionskoeffizient = (-1/Probendicke)*ln(Absorbierte Leistung/Vorfallleistung)

Absorbierte Leistung

Gehen Absorbierte Leistung = Vorfallleistung*exp(-Probendicke*Absorptionskoeffizient)

Nettoverteilung der Ladung

Gehen Nettoverteilung = (Spenderkonzentration-Akzeptorkonzentration)/Abgestufte Konstante

PN Verbindungslänge

Gehen Verbindungslänge = Konstanter Längenversatz+Effektive Kanallänge

Quantenzahl

Gehen Quantenzahl = [Coulomb]*Mögliche Bohrlochlänge/3.14

Sperrschichtkapazität Formel

Was ist die Übergangskapazität, wie sie sich mit der Vorspannung ändert?

Eine Diode kann zwei verschiedene Kapazitäten haben, nämlich Sperrschichtkapazität und Diffusionskapazität. Sperrschichtkapazität: Sie ist dominant, wenn die Diode in Sperrrichtung vorgespannt ist, und ist das Ergebnis der in der Verarmungsschicht gespeicherten Ladung.

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