Calculatrice A à Z
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Théorie de l'information et codage
Théorie des champs électromagnétiques
Théorie des micro-ondes
Traitement d'image numérique
Transmission par fibre optique
⤿
Optimisation des matériaux VLSI
Conception VLSI analogique
✖
Un paramètre empirique est une constante ou une valeur utilisée dans un modèle, une équation ou une théorie qui est dérivée de l'expérience et de l'observation plutôt que déduite théoriquement.
ⓘ
Paramètre empirique [k]
+10%
-10%
✖
L'épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat fait référence à la profondeur de la région d'épuisement dans le substrat (en vrac) du MOSFET.
ⓘ
Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat [x
dm
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unité astronomique
Attomètre
UA de longueur
Barleycorn
Million d'années lumineuses
Bohr Rayon
Câble (international)
Câble (UK)
Câble (US)
Calibre
Centimètre
Chaîne
Cubit (grec)
Coudée (longue)
Cubit (UK)
Décamètre
Décimètre
Distance de la Terre à la Lune
Distance de la Terre au Soleil
Rayon équatorial de la Terre
Rayon polaire terrestre
Electron Radius (Classique)
Aune
Examinateur
Brasse
Brasse
femtomètre
Fermi
Doigt (tissu)
Fingerbreadth
Pied
pied (Enquête US)
Furlong
Gigamètre
Main
Handbreadth
Hectomètre
Pouce
Ken
Kilomètre
Kiloparsec
Kiloyard
Ligue
Ligue (Statut)
Année-lumière
Lien
Mégamètre
Mégaparsec
Mètre
Micropouce
Micromètre
Micron
mille
Mile
Mille (Romain)
Mile (enquête américaine)
Millimètre
Million d'années lumineuses
Clou (tissu)
Nanomètre
Ligue Nautique (int)
Ligue Nautique Royaume-Uni
Mile Nautique (International)
Nautical Mile (Royaume-Uni)
Parsec
Perche
Petameter
cicéro
Picomètre
Planck Longueur
Indiquer
Pôle
Trimestre
Roseau
Roseau (Long)
Barre
Roman Actus
Corde
Archin russe
Span (Tissu)
Rayon du soleil
Téramètre
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Tâche Vara
Cour
Yoctomètre
Yottamètre
Zeptomètre
Zettamètre
+10%
-10%
✖
La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.
ⓘ
Largeur de canal [W
c
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unité astronomique
Attomètre
UA de longueur
Barleycorn
Million d'années lumineuses
Bohr Rayon
Câble (international)
Câble (UK)
Câble (US)
Calibre
Centimètre
Chaîne
Cubit (grec)
Coudée (longue)
Cubit (UK)
Décamètre
Décimètre
Distance de la Terre à la Lune
Distance de la Terre au Soleil
Rayon équatorial de la Terre
Rayon polaire terrestre
Electron Radius (Classique)
Aune
Examinateur
Brasse
Brasse
femtomètre
Fermi
Doigt (tissu)
Fingerbreadth
Pied
pied (Enquête US)
Furlong
Gigamètre
Main
Handbreadth
Hectomètre
Pouce
Ken
Kilomètre
Kiloparsec
Kiloyard
Ligue
Ligue (Statut)
Année-lumière
Lien
Mégamètre
Mégaparsec
Mètre
Micropouce
Micromètre
Micron
mille
Mile
Mille (Romain)
Mile (enquête américaine)
Millimètre
Million d'années lumineuses
Clou (tissu)
Nanomètre
Ligue Nautique (int)
Ligue Nautique Royaume-Uni
Mile Nautique (International)
Nautical Mile (Royaume-Uni)
Parsec
Perche
Petameter
cicéro
Picomètre
Planck Longueur
Indiquer
Pôle
Trimestre
Roseau
Roseau (Long)
Barre
Roman Actus
Corde
Archin russe
Span (Tissu)
Rayon du soleil
Téramètre
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Tâche Vara
Cour
Yoctomètre
Yottamètre
Zeptomètre
Zettamètre
+10%
-10%
✖
La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
ⓘ
Capacité d'oxyde par unité de surface [C
oxide
]
Farad par centimètre carré
Farad par pouce carré
Farad par mètre carré
Farad par micromètre carré
Farad par millimètre carré
Farad par nanomètre carré
Femtofarad par micromètre carré
Femtofarad par nanomètre carré
Microfarad par centimètre carré
Microfarad par pouce carré
Microfarad par mètre carré
Microfarad par micromètre carré
Microfarad par millimètre carré
Microfarad par nanomètre carré
Nanofarad par centimètre carré
Nanofarad par mètre carré
Nanofarad par micromètre carré
Nanofarad par millimètre carré
Picofarad par micromètre carré
Picofarad par nanomètre carré
+10%
-10%
✖
La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
ⓘ
Concentration d'accepteur [N
A
]
1 par centimètre cube
1 par mètre cube
par litre
par millilitre
+10%
-10%
✖
Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
ⓘ
Potentiel des surfaces [Φ
s
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET.
ⓘ
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI [ΔV
T0(nc)
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI
Formule
`"ΔV"_{"T0(nc)"} = (("k"*"x"_{"dm"})/("W"_{"c"}*"C"_{"oxide"}))*(sqrt(2*"[Charge-e]"*"N"_{"A"}*"[Permitivity-vacuum]"*"[Permitivity-silicon]"*abs(2*"Φ"_{"s"})))`
Exemple
`"2.382463V"=(("1.57"*"1.25μm")/("2.5μm"*"0.0703μF/cm²"))*(sqrt(2*"[Charge-e]"*"1e+16/cm³"*"[Permitivity-vacuum]"*"[Permitivity-silicon]"*abs(2*"6.86V")))`
Calculatrice
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Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit
= ((
Paramètre empirique
*
Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat
)/(
Largeur de canal
*
Capacité d'oxyde par unité de surface
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
Concentration d'accepteur
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Potentiel des surfaces
)))
ΔV
T0(nc)
= ((
k
*
x
dm
)/(
W
c
*
C
oxide
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
N
A
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Φ
s
)))
Cette formule utilise
3
Constantes
,
2
Les fonctions
,
7
Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-silicon]
- Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permittivité du vide Valeur prise comme 8.85E-12
[Charge-e]
- Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt
- Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
abs
- La valeur absolue d'un nombre est sa distance par rapport à zéro sur la droite numérique. C'est toujours une valeur positive, car elle représente la grandeur d'un nombre sans tenir compte de sa direction., abs(Number)
Variables utilisées
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit
-
(Mesuré en Volt)
- La tension de seuil supplémentaire à canal étroit est définie comme une contribution supplémentaire à la tension de seuil due aux effets de canal étroit dans le MOSFET.
Paramètre empirique
- Un paramètre empirique est une constante ou une valeur utilisée dans un modèle, une équation ou une théorie qui est dérivée de l'expérience et de l'observation plutôt que déduite théoriquement.
Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat
-
(Mesuré en Mètre)
- L'épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat fait référence à la profondeur de la région d'épuisement dans le substrat (en vrac) du MOSFET.
Largeur de canal
-
(Mesuré en Mètre)
- La largeur du canal est définie comme la largeur physique du canal semi-conducteur entre les bornes source et drain au sein de la structure du transistor.
Capacité d'oxyde par unité de surface
-
(Mesuré en Farad par mètre carré)
- La capacité d'oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d'oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur.
Concentration d'accepteur
-
(Mesuré en 1 par mètre cube)
- La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Potentiel des surfaces
-
(Mesuré en Volt)
- Le potentiel de surface est un paramètre clé dans l’évaluation de la propriété DC des transistors à couches minces.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Paramètre empirique:
1.57 --> Aucune conversion requise
Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat:
1.25 Micromètre --> 1.25E-06 Mètre
(Vérifiez la conversion
ici
)
Largeur de canal:
2.5 Micromètre --> 2.5E-06 Mètre
(Vérifiez la conversion
ici
)
Capacité d'oxyde par unité de surface:
0.0703 Microfarad par centimètre carré --> 0.000703 Farad par mètre carré
(Vérifiez la conversion
ici
)
Concentration d'accepteur:
1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
Potentiel des surfaces:
6.86 Volt --> 6.86 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
ΔV
T0(nc)
= ((k*x
dm
)/(W
c
*C
oxide
))*(sqrt(2*[Charge-e]*N
A
*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φ
s
))) -->
((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*1E+22*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*6.86)))
Évaluer ... ...
ΔV
T0(nc)
= 2.38246289976913
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.38246289976913 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
2.38246289976913
≈
2.382463 Volt
<--
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
Tu es là
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Optimisation des matériaux VLSI
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Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI
Crédits
Créé par
Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai
(PEMD)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices
Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
Aller
Densité de charge de la région d'épuisement global
= -(1-((
Étendue latérale de la région d'épuisement avec source
+
Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain
)/(2*
Longueur du canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentration d'accepteur
*
abs
(2*
Potentiel des surfaces
))
Coefficient d'effet corporel
Aller
Coefficient d'effet corporel
=
modulus
((
Tension de seuil
-
Tension de seuil DIBL
)/(
sqrt
(
Potentiel des surfaces
+(
Différence potentielle du corps source
))-
sqrt
(
Potentiel des surfaces
)))
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
Aller
Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tension intégrée de jonction
)/(
[Charge-e]
*
Concentration d'accepteur
))
Jonction Tension intégrée VLSI
Aller
Tension intégrée de jonction
= (
[BoltZ]
*
Température
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentration d'accepteur
*
Concentration des donneurs
/(
Concentration intrinsèque
)^2)
Capacité parasitaire totale de la source
Aller
Capacité parasite de la source
= (
Capacité entre la jonction du corps et la source
*
Zone de diffusion de la source
)+(
Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale
*
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source
)
Courant de saturation des canaux courts VLSI
Aller
Courant de saturation des canaux courts
=
Largeur de canal
*
Vitesse de dérive des électrons de saturation
*
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Tension de source de drain de saturation
Courant de jonction
Aller
Courant de jonction
= (
Puissance statique
/
Tension du collecteur de base
)-(
Courant sous-seuil
+
Conflit actuel
+
Courant de porte
)
Potentiel de surface
Aller
Potentiel des surfaces
= 2*
Différence potentielle du corps source
*
ln
(
Concentration d'accepteur
/
Concentration intrinsèque
)
Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte
Aller
Longueur de la porte
=
Capacité de porte
/(
Capacité de la couche d'oxyde de grille
*
Largeur du portail
)
Capacité d'oxyde de porte
Aller
Capacité de la couche d'oxyde de grille
=
Capacité de porte
/(
Largeur du portail
*
Longueur de la porte
)
Coefficient DIBL
Aller
Coefficient DIBL
= (
Tension de seuil DIBL
-
Tension de seuil
)/
Potentiel de drainage vers la source
Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps
Aller
Tension de seuil DIBL
=
Coefficient DIBL
*
Potentiel de drainage vers la source
+
Tension de seuil
Pente sous-seuil
Aller
Pente sous-seuil
=
Différence potentielle du corps source
*
Coefficient DIBL
*
ln
(10)
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
=
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Facteur d'échelle
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète
=
Épaisseur d'oxyde de porte
/
Facteur d'échelle
Capacité de porte
Aller
Capacité de porte
=
Frais de canal
/(
Tension porte à canal
-
Tension de seuil
)
Tension de seuil
Aller
Tension de seuil
=
Tension porte à canal
-(
Frais de canal
/
Capacité de porte
)
Charge de canal
Aller
Frais de canal
=
Capacité de porte
*(
Tension porte à canal
-
Tension de seuil
)
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète
=
Profondeur de jonction
/
Facteur d'échelle
Tension critique
Aller
Tension critique
=
Champ électrique critique
*
Champ électrique sur toute la longueur du canal
Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Longueur du canal après mise à l'échelle complète
=
Longueur du canal
/
Facteur d'échelle
Capacité de porte intrinsèque
Aller
Capacité de chevauchement de porte MOS
=
Capacité de la porte MOS
*
Largeur de transition
Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Largeur du canal après mise à l'échelle complète
=
Largeur de canal
/
Facteur d'échelle
Mobilité à Mosfet
Aller
Mobilité dans MOSFET
=
K Premier
/
Capacité de la couche d'oxyde de grille
K-Prime
Aller
K Premier
=
Mobilité dans MOSFET
*
Capacité de la couche d'oxyde de grille
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI Formule
Tension de seuil supplémentaire à canal étroit
= ((
Paramètre empirique
*
Épuisement global dans l'étendue verticale dans le substrat
)/(
Largeur de canal
*
Capacité d'oxyde par unité de surface
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
Concentration d'accepteur
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Potentiel des surfaces
)))
ΔV
T0(nc)
= ((
k
*
x
dm
)/(
W
c
*
C
oxide
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
N
A
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Φ
s
)))
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