Calculadora A a Z
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Teoria do Campo Eletromagnético
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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.
ⓘ
Parâmetro Empírico [k]
+10%
-10%
✖
O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.
ⓘ
Depleção em massa de extensão vertical no substrato [x
dm
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unidade astronômica
Atômetro
UA de Comprimento
Barleycorn
Ano Billion Light
Bohr Radius
Cabo (Internacional)
Cabo (Reino Unido)
Cabo (Estados Unidos)
Calibre
Centímetro
Chain
Cubit (grego)
Cúbito (Longo)
Cubit (Reino Unido)
Decâmetro
Decímetro
Distância da Terra à Lua
Distância da Terra ao Sol
Raio Equatorial da Terra
Raio Polar da Terra
Electron Radius (Classical)
Ell
Exame
Famn
braça
Femtometer
Fermi
Finger (pano)
Fingerbreadth
Pé
Pé (Estados Unidos Survey)
Furlong
Gigametro
Mão
Handbreadth
Hectômetro
Polegada
Ken
Quilômetro
Kiloparsec
Quiloyard
League
Liga (Estatuto)
Ano luz
Ligação
Megametro
Megaparsec
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Mil
Milha
Mile (romano)
Mile (Estados Unidos Survey)
Milímetro
Ano Million Light
Prego (pano)
Nanômetro
Liga Náutica (int)
Liga Náutica Reino Unido
Milhas náuticas (Internacional)
Milha náutica (Reino Unido)
Parsec
Poleiro
Petameter
Pica
picômetro
Planck Comprimento
Ponto
Pólo
Trimestre
Reed
Junco (longo)
Rod
Roman Actus
Corda
Russian Archin
Span (pano)
Raio do Sol
Terâmetro
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Jarda
Yoctometer
Yottameter
Zeptômetro
Zettameter
+10%
-10%
✖
A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
ⓘ
Largura de banda [W
c
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unidade astronômica
Atômetro
UA de Comprimento
Barleycorn
Ano Billion Light
Bohr Radius
Cabo (Internacional)
Cabo (Reino Unido)
Cabo (Estados Unidos)
Calibre
Centímetro
Chain
Cubit (grego)
Cúbito (Longo)
Cubit (Reino Unido)
Decâmetro
Decímetro
Distância da Terra à Lua
Distância da Terra ao Sol
Raio Equatorial da Terra
Raio Polar da Terra
Electron Radius (Classical)
Ell
Exame
Famn
braça
Femtometer
Fermi
Finger (pano)
Fingerbreadth
Pé
Pé (Estados Unidos Survey)
Furlong
Gigametro
Mão
Handbreadth
Hectômetro
Polegada
Ken
Quilômetro
Kiloparsec
Quiloyard
League
Liga (Estatuto)
Ano luz
Ligação
Megametro
Megaparsec
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Mil
Milha
Mile (romano)
Mile (Estados Unidos Survey)
Milímetro
Ano Million Light
Prego (pano)
Nanômetro
Liga Náutica (int)
Liga Náutica Reino Unido
Milhas náuticas (Internacional)
Milha náutica (Reino Unido)
Parsec
Poleiro
Petameter
Pica
picômetro
Planck Comprimento
Ponto
Pólo
Trimestre
Reed
Junco (longo)
Rod
Roman Actus
Corda
Russian Archin
Span (pano)
Raio do Sol
Terâmetro
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tarea
Jarda
Yoctometer
Yottameter
Zeptômetro
Zettameter
+10%
-10%
✖
A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
ⓘ
Capacitância de Óxido por Unidade de Área [C
oxide
]
Farad por centímetro quadrado
Farad por polegada quadrada
Farad por metro quadrado
Farad por Micrômetro Quadrado
Farad por Milímetro Quadrado
Farad por nanômetro quadrado
Femtofarad por Micrômetro Quadrado
Femtofarad por nanômetro quadrado
Microfarad por centímetro quadrado
Microfarad por polegada quadrada
Microfarad por Metro Quadrado
Microfarad por Micrômetro Quadrado
Microfarad por Milímetro Quadrado
Microfarad por Nanômetro Quadrado
Nanofarad por centímetro quadrado
Nanofarad por metro quadrado
Nanofarad por Micrômetro Quadrado
Nanofarad por Milímetro Quadrado
Picofarad por Micrômetro Quadrado
Picofarad por Nanômetro Quadrado
+10%
-10%
✖
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
ⓘ
Concentração do aceitante [N
A
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ⓘ
Potencial de Superfície [Φ
s
]
Abvolt
Attovolt
Centivot
Decivolt
Decavolt
EMU de potencial elétrico
ESU de potencial elétrico
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.
ⓘ
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI [ΔV
T0(nc)
]
Abvolt
Attovolt
Centivot
Decivolt
Decavolt
EMU de potencial elétrico
ESU de potencial elétrico
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Cópia De
Degraus
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Fórmula
✖
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI
Fórmula
`"ΔV"_{"T0(nc)"} = (("k"*"x"_{"dm"})/("W"_{"c"}*"C"_{"oxide"}))*(sqrt(2*"[Charge-e]"*"N"_{"A"}*"[Permitivity-vacuum]"*"[Permitivity-silicon]"*abs(2*"Φ"_{"s"})))`
Exemplo
`"2.382463V"=(("1.57"*"1.25μm")/("2.5μm"*"0.0703μF/cm²"))*(sqrt(2*"[Charge-e]"*"1e+16/cm³"*"[Permitivity-vacuum]"*"[Permitivity-silicon]"*abs(2*"6.86V")))`
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Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
= ((
Parâmetro Empírico
*
Depleção em massa de extensão vertical no substrato
)/(
Largura de banda
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
)))
ΔV
T0(nc)
= ((
k
*
x
dm
)/(
W
c
*
C
oxide
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
N
A
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Φ
s
)))
Esta fórmula usa
3
Constantes
,
2
Funções
,
7
Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon]
- Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt
- Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs
- O valor absoluto de um número é sua distância do zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção., abs(Number)
Variáveis Usadas
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
-
(Medido em Volt)
- A tensão limite adicional de canal estreito é definida como uma contribuição adicional à tensão limite devido aos efeitos de canal estreito no MOSFET.
Parâmetro Empírico
- Parâmetro Empírico é uma constante ou valor usado em um modelo, equação ou teoria que é derivado de experimento e observação, em vez de ser deduzido teoricamente.
Depleção em massa de extensão vertical no substrato
-
(Medido em Metro)
- O esgotamento em massa de extensão vertical no substrato refere-se à profundidade da região de esgotamento no substrato (volume) do MOSFET.
Largura de banda
-
(Medido em Metro)
- A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
-
(Medido em Farad por metro quadrado)
- A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Concentração do aceitante
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície
-
(Medido em Volt)
- O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro Empírico:
1.57 --> Nenhuma conversão necessária
Depleção em massa de extensão vertical no substrato:
1.25 Micrômetro --> 1.25E-06 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Largura de banda:
2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro
(Verifique a conversão
aqui
)
Capacitância de Óxido por Unidade de Área:
0.0703 Microfarad por centímetro quadrado --> 0.000703 Farad por metro quadrado
(Verifique a conversão
aqui
)
Concentração do aceitante:
1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Potencial de Superfície:
6.86 Volt --> 6.86 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ΔV
T0(nc)
= ((k*x
dm
)/(W
c
*C
oxide
))*(sqrt(2*[Charge-e]*N
A
*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φ
s
))) -->
((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*1E+22*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*6.86)))
Avaliando ... ...
ΔV
T0(nc)
= 2.38246289976913
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.38246289976913 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.38246289976913
≈
2.382463 Volt
<--
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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»
Otimização de materiais VLSI
»
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Vai
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
= -(1-((
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
+
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
)/(2*
Comprimento do canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentração do aceitante
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
))
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Tensão integrada de junção VLSI
Vai
Tensão interna de junção
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentração do aceitante
*
Concentração de doadores
/(
Concentração Intrínseca
)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Vai
Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tensão interna de junção
)/(
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
Vai
Fonte de capacitância parasita
= (
Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte
*
Área de Difusão de Fonte
)+(
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral
*
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte
)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
Vai
Corrente de saturação de canal curto
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
Vai
Corrente de Junção
= (
Potência Estática
/
Tensão do Coletor Base
)-(
Corrente Sublimiar
+
Corrente de contenção
+
Corrente do portão
)
Potencial de Superfície
Vai
Potencial de Superfície
= 2*
Diferença potencial do corpo de origem
*
ln
(
Concentração do aceitante
/
Concentração Intrínseca
)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
Vai
Comprimento do portão
=
Capacitância do portão
/(
Capacitância da camada de óxido de porta
*
Largura do portão
)
Capacitância de Óxido de Porta
Vai
Capacitância da camada de óxido de porta
=
Capacitância do portão
/(
Largura do portão
*
Comprimento do portão
)
Capacitância da porta
Vai
Capacitância do portão
=
Taxa de canal
/(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Coeficiente DIBL
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Tensão de limiar
Vai
Tensão de limiar
=
Tensão do portão para o canal
-(
Taxa de canal
/
Capacitância do portão
)
Carga do canal
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
Vai
Tensão Limite DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar para Potencial de Fonte
+
Tensão de limiar
Sublimiar Inclinação
Vai
Inclinação Sublimiar
=
Diferença potencial do corpo de origem
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Vai
Capacitância de óxido após escala completa
=
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
Vai
Espessura do óxido de porta após escala completa
=
Espessura do Óxido de Porta
/
Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
Vai
Capacitância de sobreposição de porta MOS
=
Capacitância da Porta MOS
*
Largura da transição
Tensão Crítica
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
Vai
Profundidade da junção após escala completa
=
Profundidade da Junção
/
Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Comprimento do canal após escala completa
=
Comprimento do canal
/
Fator de escala
Largura do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Largura do canal após escala completa
=
Largura de banda
/
Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
Vai
Mobilidade em MOSFET
=
K Prime
/
Capacitância da camada de óxido de porta
K-Prime
Vai
K Prime
=
Mobilidade em MOSFET
*
Capacitância da camada de óxido de porta
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI Fórmula
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito
= ((
Parâmetro Empírico
*
Depleção em massa de extensão vertical no substrato
)/(
Largura de banda
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
)))
ΔV
T0(nc)
= ((
k
*
x
dm
)/(
W
c
*
C
oxide
))*(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
N
A
*
[Permitivity-vacuum]
*
[Permitivity-silicon]
*
abs
(2*
Φ
s
)))
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