Gebrauchte Formel
Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal = ((Empirischer Parameter*Vertikale Massenverarmung im Substrat)/(Kanalbreite*Oxidkapazität pro Flächeneinheit))*(sqrt(2*[Charge-e]*Akzeptorkonzentration*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oberflächenpotential)))ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))Diese formel verwendet
3 Konstanten,
2 Funktionen,
7 Variablen Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums Wert genommen als 8.85E-12
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
abs - Der Absolutwert einer Zahl ist ihr Abstand vom Nullpunkt auf der Zahlengeraden. Es ist immer ein positiver Wert, da er die Größe einer Zahl darstellt, ohne deren Richtung zu berücksichtigen., abs(Number)
Verwendete Variablen
Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal -
(Gemessen in Volt) - Die zusätzliche Schwellenspannung für schmale Kanäle ist als zusätzlicher Beitrag zur Schwellenspannung aufgrund von Schmalkanaleffekten im MOSFET definiert.
Empirischer Parameter - Ein empirischer Parameter ist eine Konstante oder ein Wert, der in einem Modell, einer Gleichung oder einer Theorie verwendet wird und aus Experimenten und Beobachtungen abgeleitet und nicht theoretisch abgeleitet wird.
Vertikale Massenverarmung im Substrat -
(Gemessen in Meter) - Vertikale Ausdehnung der Massenverarmung im Substrat bezieht sich auf die Tiefe des Verarmungsbereichs im Substrat (Masse) des MOSFET.
Kanalbreite -
(Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite ist definiert als die physikalische Breite des Halbleiterkanals zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.
Oxidkapazität pro Flächeneinheit -
(Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.
Akzeptorkonzentration -
(Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Oberflächenpotential -
(Gemessen in Volt) - Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.