Courant de drainage de la région ohmique du FET Calculatrice

✖Channel Conductance FET est la mesure de la façon dont le canal d'un FET conduit le courant. Elle est déterminée par la mobilité des porteurs de charge dans le canal.ⓘ FET de conductance de canal [G_o(fet)]			+10% -10%
✖Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.ⓘ Tension de source de drain FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.ⓘ FET de potentiel de surface [Ψ_0(fet)]			+10% -10%
✖La tension de pincement est la tension à laquelle le canal d'un transistor à effet de champ (FET) devient si étroit qu'il se ferme efficacement, empêchant tout flux de courant supplémentaire.ⓘ Tension de pincement [V_off(fet)]			+10% -10%

✖Le courant de drain FET est le courant qui traverse la jonction de drain du FET.ⓘ Courant de drainage de la région ohmique du FET [I_d(fet)]

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Formule

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Courant de drainage de la région ohmique du FET

Formule

`"I"_{"d(fet)"} = "G"_{"o(fet)"}*("V"_{"ds(fet)"}+3/2*(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"}-"V"_{"ds(fet)"})^(3/2)-("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"})^(3/2))/(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"off(fet)"})^(1/2)))`

Exemple

`"0.305501mA"="0.24mS"*("4.8V"+3/2*(("4.976V"+"4.8V"-"4.8V")^(3/2)-("4.976V"+"4.8V")^(3/2))/(("4.976V"+"63.56V")^(1/2)))`

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Courant de drainage de la région ohmique du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2)))
I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2)))
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange FET - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain FET est le courant qui traverse la jonction de drain du FET.
FET de conductance de canal - (Mesuré en Siemens) - Channel Conductance FET est la mesure de la façon dont le canal d'un FET conduit le courant. Elle est déterminée par la mobilité des porteurs de charge dans le canal.
Tension de source de drain FET - (Mesuré en Volt) - Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.
FET de potentiel de surface - (Mesuré en Volt) - Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.
Tension de pincement - (Mesuré en Volt) - La tension de pincement est la tension à laquelle le canal d'un transistor à effet de champ (FET) devient si étroit qu'il se ferme efficacement, empêchant tout flux de courant supplémentaire.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

FET de conductance de canal: 0.24 millisiemens --> 0.00024 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Tension de source de drain FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Aucune conversion requise
FET de potentiel de surface: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Aucune conversion requise
Tension de pincement: 63.56 Volt --> 63.56 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2))) --> 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2)))

Évaluer ... ...

I_d(fet) = 0.000305501451597179

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.000305501451597179 Ampère -->0.305501451597179 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.305501451597179 ≈ 0.305501 Milliampère <-- Courant de vidange FET

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

< 8 FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller FET à transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation zéro)/Tension de pincement*(1-Tension de source de drain FET/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de source de drain FET = Tension d'alimentation au drain FET-Courant de vidange FET*(FET de résistance de drainage+Source Résistance FET)

Capacité de source de porte du FET

Aller FET de capacité de source de porte = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de drain de porte FET = Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET/(1-Tension porte à drain FET/FET de potentiel de surface)^(1/3)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange FET = Courant de drain de polarisation zéro*(1-Tension de source de drain FET/Tension de coupure FET)^2

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez OFF Drain Source Tension FET-Tension de source de drain FET

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension FET = -FET à transconductance directe*FET de résistance de drainage

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