Courant de drainage de la région ohmique du FET Calculatrice

Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))
I_d = G_o*(V_ds+3/2*((Ψ₀+V_(g-s)-V_ds)^(3/2)-(Ψ₀+V_(g-s))^(3/2))/((Ψ₀+V_off)^(1/2)))
Cette formule utilise 6 Variables
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.
Conductance du canal - (Mesuré en Siemens) - La conductance du canal est la mesure de la façon dont le canal d'un FET conduit le courant. Elle est déterminée par la mobilité des porteurs de charge dans le canal.
Tension de drain vers la source - (Mesuré en Volt) - La tension drain-source contrôle le flux de courant à travers le JFET. Plus la tension drain-source est élevée, plus le courant circulera à travers le JFET.
Psi - (Mesuré en Pascal) - Psi (ψ) est le potentiel de surface d'un FET. C'est la différence de potentiel entre la surface du semi-conducteur et le semi-conducteur massif.
Gain à la tension source - (Mesuré en Volt) - Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.
Tension de pincement - (Mesuré en Volt) - La tension de pincement est la tension à laquelle le canal d'un transistor à effet de champ (FET) devient si étroit qu'il se ferme efficacement, empêchant tout flux de courant supplémentaire.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)