Calculatrice A à Z
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Résistance de sortie étant donné la transconductance Calculatrice
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Rapport de réjection en mode commun (CMRR)
Tension
Transconductance
Transistors MOS
✖
La mobilité des porteurs est une mesure de la vitesse à laquelle les porteurs de charge du Mosfet peuvent se déplacer sous l'influence d'un champ électrique.
ⓘ
Mobilité des transporteurs [η]
Centimètre carré par volt seconde
Mètre carré par volt par seconde
+10%
-10%
✖
La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
ⓘ
Transconductance [g
m
]
Abmho
Ampere / Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
mégasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Conduit de Hall Quantifié
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
ⓘ
Résistance de sortie étant donné la transconductance [R
out
]
Abohm
EMU de la Résistance
ESU de Résistance
Exaohm
Gigaohm
Kilohm
mégohm
Microhm
milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Impédance Planck
Résistance Hall Hall Quantized
Siemens réciproque
Statohm
Volt par ampère
Yottaohm
Zettaohm
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Résistance de sortie étant donné la transconductance
Formule
`"R"_{"out"} = 1/("η"*"g"_{"m"})`
Exemple
`"0.08kΩ"=1/("25m²/V*s"*"0.5mS")`
Calculatrice
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Télécharger MOSFET Formule PDF
Résistance de sortie étant donné la transconductance Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de sortie
= 1/(
Mobilité des transporteurs
*
Transconductance
)
R
out
= 1/(
η
*
g
m
)
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Résistance de sortie
-
(Mesuré en Ohm)
- La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Mobilité des transporteurs
-
(Mesuré en Mètre carré par volt par seconde)
- La mobilité des porteurs est une mesure de la vitesse à laquelle les porteurs de charge du Mosfet peuvent se déplacer sous l'influence d'un champ électrique.
Transconductance
-
(Mesuré en Siemens)
- La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Mobilité des transporteurs:
25 Mètre carré par volt par seconde --> 25 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Transconductance:
0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
R
out
= 1/(η*g
m
) -->
1/(25*0.0005)
Évaluer ... ...
R
out
= 80
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
80 Ohm -->0.08 Kilohm
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
0.08 Kilohm
<--
Résistance de sortie
(Calcul effectué en 00.020 secondes)
Tu es là
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Résistance de sortie étant donné la transconductance
Crédits
Créé par
Suma Madhuri
Université VIT
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Parminder Singh
Université de Chandigarh
(UC)
,
Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
<
14 Résistance Calculatrices
MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect
Aller
Résistance linéaire
=
Longueur du canal
/(
Mobilité des électrons à la surface du canal
*
Capacité d'oxyde
*
Largeur de canal
*
Tension efficace
)
Résistance de sortie de l'amplificateur différentiel
Aller
Résistance de sortie
= ((
Signal d'entrée en mode commun
*
Transconductance
)-
Courant total
)/(2*
Transconductance
*
Courant total
)
Résistance d'entrée du Mosfet
Aller
Résistance d'entrée
=
Tension d'entrée
/(
Courant du collecteur
*
Gain de courant de petit signal
)
Résistance finie entre le drain et la source
Aller
Résistance finie
=
modulus
(
Tension CC positive
)/
Courant de vidange
Libre parcours moyen des électrons
Aller
Libre parcours moyen des électrons
= 1/(
Résistance de sortie
*
Courant de vidange
)
Résistance de sortie de vidange
Aller
Résistance de sortie
= 1/(
Libre parcours moyen des électrons
*
Courant de vidange
)
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal
Aller
Résistance de sortie
= 1/(
Modulation de longueur de canal
*
Courant de vidange
)
Résistance de sortie étant donné la transconductance
Aller
Résistance de sortie
= 1/(
Mobilité des transporteurs
*
Transconductance
)
Résistance d'entrée étant donné la transconductance
Aller
Résistance d'entrée
=
Gain de courant de petit signal
/
Transconductance
Résistance de sortie du Mosfet
Aller
Résistance de sortie
=
Tension précoce
/
Courant du collecteur
Résistance dépendante de la tension dans MOSFET
Aller
Résistance finie
=
Tension efficace
/
Courant de vidange
Résistance d'entrée de petit signal
Aller
Résistance d'entrée
=
Tension d'entrée
/
Courant de base
Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET
Aller
Conductance du canal
= 1/
Résistance linéaire
MOSFET comme résistance linéaire
Aller
Résistance linéaire
= 1/
Conductance du canal
Résistance de sortie étant donné la transconductance Formule
Résistance de sortie
= 1/(
Mobilité des transporteurs
*
Transconductance
)
R
out
= 1/(
η
*
g
m
)
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