Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)
Rout = 1/(η*gm)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Trägermobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Trägermobilität ist ein Maß dafür, wie schnell sich die Ladungsträger im Mosfet unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes bewegen können.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Trägermobilität: 25 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 25 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rout = 1/(η*gm) --> 1/(25*0.0005)
Auswerten ... ...
Rout = 80
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
80 Ohm -->0.08 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.08 Kiloohm <-- Ausgangswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

14 Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers
​ Gehen Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)
Eingangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/(Kollektorstrom*Kleinsignal-Stromverstärkung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)
Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Eingangswiderstand = Kleinsignal-Stromverstärkung/Steilheit
Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET
​ Gehen Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)
Ausgangswiderstand des Mosfet
​ Gehen Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kleinsignal-Eingangswiderstand
​ Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom
Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
MOSFET als linearer Widerstand
​ Gehen Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals

Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz Formel

Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)
Rout = 1/(η*gm)
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