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Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz Taschenrechner
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Steilheit
Stromspannung
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Voreingenommenheit
✖
Die Trägermobilität ist ein Maß dafür, wie schnell sich die Ladungsträger im Mosfet unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes bewegen können.
ⓘ
Trägermobilität [η]
Quadratzentimeter pro Voltsekunde
Quadratmeter pro Volt pro Sekunde
+10%
-10%
✖
Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
ⓘ
Steilheit [g
m
]
Abmho
Ampere / Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
Megasiemens
Mho
Mikromho
Mikrosiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Quantisierte Hallleitfähigkeit
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
ⓘ
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz [R
out
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
Formel
`"R"_{"out"} = 1/("η"*"g"_{"m"})`
Beispiel
`"0.08kΩ"=1/("25m²/V*s"*"0.5mS")`
Taschenrechner
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ausgangswiderstand
= 1/(
Trägermobilität
*
Steilheit
)
R
out
= 1/(
η
*
g
m
)
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Ausgangswiderstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Trägermobilität
-
(Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde)
- Die Trägermobilität ist ein Maß dafür, wie schnell sich die Ladungsträger im Mosfet unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes bewegen können.
Steilheit
-
(Gemessen in Siemens)
- Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Trägermobilität:
25 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 25 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit:
0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
R
out
= 1/(η*g
m
) -->
1/(25*0.0005)
Auswerten ... ...
R
out
= 80
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
80 Ohm -->0.08 Kiloohm
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.08 Kiloohm
<--
Ausgangswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
Du bist da
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Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
Credits
Erstellt von
Suma Madhuri
VIT-Universität
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
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14 Widerstand Taschenrechner
MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
Gehen
Linearer Widerstand
=
Kanallänge
/(
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals
*
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Effektive Spannung
)
Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers
Gehen
Ausgangswiderstand
= ((
Gleichtakt-Eingangssignal
*
Steilheit
)-
Gesamtstrom
)/(2*
Steilheit
*
Gesamtstrom
)
Eingangswiderstand des Mosfet
Gehen
Eingangswiderstand
=
Eingangsspannung
/(
Kollektorstrom
*
Kleinsignal-Stromverstärkung
)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
Gehen
Endlicher Widerstand
=
modulus
(
Positive Gleichspannung
)/
Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
Gehen
Mittlerer freier Elektronenweg
= 1/(
Ausgangswiderstand
*
Stromverbrauch
)
Ausgangswiderstand entleeren
Gehen
Ausgangswiderstand
= 1/(
Mittlerer freier Elektronenweg
*
Stromverbrauch
)
Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation
Gehen
Ausgangswiderstand
= 1/(
Kanallängenmodulation
*
Stromverbrauch
)
Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
Gehen
Eingangswiderstand
=
Kleinsignal-Stromverstärkung
/
Steilheit
Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET
Gehen
Endlicher Widerstand
=
Effektive Spannung
/
Stromverbrauch
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz
Gehen
Ausgangswiderstand
= 1/(
Trägermobilität
*
Steilheit
)
Ausgangswiderstand des Mosfet
Gehen
Ausgangswiderstand
=
Frühe Spannung
/
Kollektorstrom
Kleinsignal-Eingangswiderstand
Gehen
Eingangswiderstand
=
Eingangsspannung
/
Basisstrom
Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET
Gehen
Leitfähigkeit des Kanals
= 1/
Linearer Widerstand
MOSFET als linearer Widerstand
Gehen
Linearer Widerstand
= 1/
Leitfähigkeit des Kanals
Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz Formel
Ausgangswiderstand
= 1/(
Trägermobilität
*
Steilheit
)
R
out
= 1/(
η
*
g
m
)
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