Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai
Rout = Vx/ix
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Tension d'essai - (Mesuré en Volt) - La tension de test consiste à placer une très haute tension à travers la barrière d'isolation de l'appareil pendant une minute.
Courant d'essai - (Mesuré en Ampère) - Le courant de test est un flux de porteurs de charge électrique, généralement des électrons ou des atomes déficients en électrons.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension d'essai: 27 Volt --> 27 Volt Aucune conversion requise
Courant d'essai: 89 Milliampère --> 0.089 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rout = Vx/ix --> 27/0.089
Évaluer ... ...
Rout = 303.370786516854
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
303.370786516854 Ohm -->0.303370786516854 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.303370786516854 0.303371 Kilohm <-- Résistance de sortie finie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya LinkedIn Logo
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya LinkedIn Logo
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde
​ LaTeX ​ Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source
Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation
​ LaTeX ​ Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2
Tension de drain instantanée totale
​ LaTeX ​ Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
Tension d'entrée dans le transistor
​ LaTeX ​ Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test Formule

​LaTeX ​Aller
Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai
Rout = Vx/ix

À quoi sert le circuit de porte commune?

Configuration de circuit à grille commune normalement utilisée comme amplificateur de tension. La source de FET dans cette configuration fonctionne comme entrée et le drain comme sortie.

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