Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai
Rout = Vx/ix
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Tension d'essai - (Mesuré en Volt) - La tension de test consiste à placer une très haute tension à travers la barrière d'isolation de l'appareil pendant une minute.
Courant d'essai - (Mesuré en Ampère) - Le courant de test est un flux de porteurs de charge électrique, généralement des électrons ou des atomes déficients en électrons.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension d'essai: 27 Volt --> 27 Volt Aucune conversion requise
Courant d'essai: 89 Milliampère --> 0.089 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rout = Vx/ix --> 27/0.089
Évaluer ... ...
Rout = 303.370786516854
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
303.370786516854 Ohm -->0.303370786516854 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.303370786516854 0.303371 Kilohm <-- Résistance de sortie finie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde
​ Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source
Tension efficace globale de la transconductance MOSFET
​ Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))
Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation
​ Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2
Tension d'entrée donnée Tension du signal
​ Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal
Paramètre de transconductance du transistor MOS
​ Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)
Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source
​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source
Courant de drain du transistor
​ Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites
Tension de drain instantanée totale
​ Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
Tension d'entrée dans le transistor
​ Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale
Transconductance des amplificateurs à transistors
​ Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)
Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée
​ Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur
Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor
​ Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil
Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun
​ Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base
Gain de courant continu de l'amplificateur
​ Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base
Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test
​ Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai
Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor
​ Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée
Courant de test de l'amplificateur à transistor
​ Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée
Résistance d'entrée du circuit à porte commune
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test Formule

Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai
Rout = Vx/ix

À quoi sert le circuit de porte commune?

Configuration de circuit à grille commune normalement utilisée comme amplificateur de tension. La source de FET dans cette configuration fonctionne comme entrée et le drain comme sortie.

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