Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova calcolatrice

✖La tensione di prova prevede l'applicazione di una tensione estremamente elevata attraverso la barriera isolante del dispositivo per un minuto.ⓘ Prova di tensione [V_x]			+10% -10%
✖La corrente di prova è un flusso di portatori di carica elettrica, solitamente elettroni o atomi carenti di elettroni.ⓘ Prova corrente [i_x]			+10% -10%

✖La resistenza di uscita finita è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor al variare della tensione di uscita.ⓘ Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova [R_out]

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Formula

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Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova

Formula

`"R"_{"out"} = "V"_{"x"}/"i"_{"x"}`

Esempio

`"0.303371kΩ"="27V"/"89mA"`

Calcolatrice

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Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente
R_out = V_x/i_x
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza di uscita finita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita finita è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor al variare della tensione di uscita.
Prova di tensione - (Misurato in Volt) - La tensione di prova prevede l'applicazione di una tensione estremamente elevata attraverso la barriera isolante del dispositivo per un minuto.
Prova corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di prova è un flusso di portatori di carica elettrica, solitamente elettroni o atomi carenti di elettroni.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Prova di tensione: 27 Volt --> 27 Volt Nessuna conversione richiesta
Prova corrente: 89 Millampere --> 0.089 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_out = V_x/i_x --> 27/0.089

Valutare ... ...

R_out = 303.370786516854

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

303.370786516854 Ohm -->0.303370786516854 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.303370786516854 ≈ 0.303371 Kilohm <-- Resistenza di uscita finita

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))

Tensione di ingresso data tensione di segnale

Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Corrente di scarico del transistor

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico

Tensione di scarico totale istantanea

Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Transconduttanza degli amplificatori a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor

Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso

Guadagno di corrente CC dell'amplificatore

Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base

Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova

Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente

Resistenza di ingresso del circuito di gate comune

Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente

Prova la corrente dell'amplificatore a transistor

Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova Formula

Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente
R_out = V_x/i_x

Qual è l'uso del circuito common-gate?

Configurazione del circuito a porta comune normalmente utilizzata come amplificatore di tensione. La sorgente di FET in questa configurazione funziona come input e drain come output.

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