Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung Taschenrechner

✖Bei der Prüfspannung wird eine Minute lang eine Höchstspannung an die Isolationsbarriere des Geräts angelegt.ⓘ Prüfspannung [V_x]			+10% -10%
✖Prüfstrom ist ein Fluss elektrischer Ladungsträger, meist Elektronen oder elektronenarme Atome.ⓘ Teststrom [i_x]			+10% -10%

✖Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.ⓘ Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung [R_out]

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Formel

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Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Formel

`"R"_{"out"} = "V"_{"x"}/"i"_{"x"}`

Beispiel

`"0.303371kΩ"="27V"/"89mA"`

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Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom
R_out = V_x/i_x
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Endlicher Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Prüfspannung - (Gemessen in Volt) - Bei der Prüfspannung wird eine Minute lang eine Höchstspannung an die Isolationsbarriere des Geräts angelegt.
Teststrom - (Gemessen in Ampere) - Prüfstrom ist ein Fluss elektrischer Ladungsträger, meist Elektronen oder elektronenarme Atome.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Prüfspannung: 27 Volt --> 27 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Teststrom: 89 Milliampere --> 0.089 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_out = V_x/i_x --> 27/0.089

Auswerten ... ...

R_out = 303.370786516854

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

303.370786516854 Ohm -->0.303370786516854 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.303370786516854 ≈ 0.303371 Kiloohm <-- Endlicher Ausgangswiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung Formel

Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom
R_out = V_x/i_x

Was ist die Verwendung einer Common-Gate-Schaltung?

Common-Gate-Schaltungskonfiguration, die normalerweise als Spannungsverstärker verwendet wird. Die Source des FET in dieser Konfiguration arbeitet als Eingang und Drain als Ausgang.

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