Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current Calculatrice

✖Le paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au MOSFET.VA est proportionnel à la longueur de canal L que le concepteur sélectionne pour un MOSFET.ⓘ Paramètre de l'appareil [V_A]			+10% -10%
✖Le courant de drain sans modulation de longueur de canal signifie que le courant de drain de la région de saturation augmentera légèrement à mesure que la tension drain-source augmente.ⓘ Courant de drain sans modulation de longueur de canal [I_D']			+10% -10%

✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current [R_out]

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Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current

Formule

`"R"_{"out"} = "V"_{"A"}/("I"_{"D"}"'")`

Exemple

`"1.25kΩ"="4V"/"3.2mA"`

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Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal
R_out = V_A/I_D'
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Paramètre de l'appareil - (Mesuré en Volt) - Le paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au MOSFET.VA est proportionnel à la longueur de canal L que le concepteur sélectionne pour un MOSFET.
Courant de drain sans modulation de longueur de canal - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain sans modulation de longueur de canal signifie que le courant de drain de la région de saturation augmentera légèrement à mesure que la tension drain-source augmente.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de l'appareil: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Courant de drain sans modulation de longueur de canal: 3.2 Milliampère --> 0.0032 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_out = V_A/I_D' --> 4/0.0032

Évaluer ... ...

R_out = 1250

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1250 Ohm -->1.25 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.25 Kilohm <-- Résistance de sortie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

Effet corporel dans NMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant entrant dans la borne de drain de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2

Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Puissance totale fournie en NMOS

Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current

Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect

Puissance totale dissipée dans NMOS

Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS

Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal

Capacité d'oxyde de NMOS

Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current Formule

Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal
R_out = V_A/I_D'

Qu'est-ce qu'un MOSFET et comment ça marche?

En général, le MOSFET fonctionne comme un commutateur, le MOSFET contrôle la tension et le flux de courant entre la source et le drain. Le fonctionnement du MOSFET dépend du condensateur MOS, qui est la surface semi-conductrice sous les couches d'oxyde entre la borne de source et de drain.

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