Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
Rout = VA/ID'
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Parametro dispositivo - (Misurato in Volt) - Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale - (Misurato in Ampere) - Corrente di drenaggio senza modulazione della lunghezza del canale significa che la corrente di drenaggio nella regione di saturazione aumenterà leggermente all'aumentare della tensione da pozzo a sorgente.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Parametro dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale: 3.2 Millampere --> 0.0032 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Rout = VA/ID' --> 4/0.0032
Valutare ... ...
Rout = 1250
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1250 Ohm -->1.25 Kilohm (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
1.25 Kilohm <-- Resistenza di uscita
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Payal Priya LinkedIn Logo
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
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Verificato da Urvi Rathod LinkedIn Logo
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)
Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2)
NMOS come resistenza lineare
​ LaTeX ​ Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))
Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS
​ LaTeX ​ Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico Formula

​LaTeX ​Partire
Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
Rout = VA/ID'

Cos'è un MOSFET e come funziona?

In generale, il MOSFET funziona come un interruttore, il MOSFET controlla il flusso di tensione e corrente tra la sorgente e lo scarico. Il funzionamento del MOSFET dipende dal condensatore MOS, che è la superficie del semiconduttore sotto gli strati di ossido tra il terminale di source e quello di drain.

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