Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico calcolatrice

✖Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.ⓘ Parametro dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖Corrente di drenaggio senza modulazione della lunghezza del canale significa che la corrente di drenaggio nella regione di saturazione aumenterà leggermente all'aumentare della tensione da pozzo a sorgente.ⓘ Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale [I_D']			+10% -10%

✖La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.ⓘ Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico [R_out]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Formula

`"R"_{"out"} = "V"_{"A"}/("I"_{"D"}"'")`

Esempio

`"1.25kΩ"="4V"/"3.2mA"`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento MOSFET Formula PDF PDF Image

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
R_out = V_A/I_D'
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Parametro dispositivo - (Misurato in Volt) - Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale - (Misurato in Ampere) - Corrente di drenaggio senza modulazione della lunghezza del canale significa che la corrente di drenaggio nella regione di saturazione aumenterà leggermente all'aumentare della tensione da pozzo a sorgente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale: 3.2 Millampere --> 0.0032 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_out = V_A/I_D' --> 4/0.0032

Valutare ... ...

R_out = 1250

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1250 Ohm -->1.25 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.25 Kilohm <-- Resistenza di uscita

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » MOSFET » Elettronica analogica » Miglioramento del canale N » Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)

Effetto corpo in NMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

NMOS come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Potenza totale fornita in NMOS

Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni

Potenza totale dissipata in NMOS

Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale

Capacità di ossido di NMOS

Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico Formula

Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
R_out = V_A/I_D'

Cos'è un MOSFET e come funziona?

In generale, il MOSFET funziona come un interruttore, il MOSFET controlla il flusso di tensione e corrente tra la sorgente e lo scarico. Il funzionamento del MOSFET dipende dal condensatore MOS, che è la superficie del semiconduttore sotto gli strati di ossido tra il terminale di source e quello di drain.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!