Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie
Rout = VA/ID'
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Uitgangsweerstand - (Gemeten in Ohm) - Uitgangsweerstand verwijst naar de weerstand van een elektronisch circuit tegen de stroom wanneer een belasting is aangesloten op de uitgang.
Apparaatparameter - (Gemeten in Volt) - Apparaatparameter is de parameter die wordt gebruikt in de berekening met betrekking tot MOSFET.VA is evenredig met de kanaallengte L die de ontwerper selecteert voor een MOSFET.
Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie betekent dat de afvoerstroom in het verzadigingsgebied enigszins zal toenemen naarmate de afvoer-naar-bronspanning toeneemt.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Apparaatparameter: 4 Volt --> 4 Volt Geen conversie vereist
Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie: 3.2 milliampère --> 0.0032 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Rout = VA/ID' --> 4/0.0032
Evalueren ... ...
Rout = 1250
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1250 Ohm -->1.25 Kilohm (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.25 Kilohm <-- Uitgangsweerstand
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)
Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
Lichaamseffect in NMOS
​ Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))
Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)
NMOS als lineaire weerstand
​ Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Fabricageprocesparameter van NMOS
​ Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit
Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning
​ Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2
Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2
Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor
​ Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal
Totaal geleverd vermogen in NMOS
​ Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)
Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron
​ Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding
Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom
​ Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie
Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS
​ Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand
Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS
​ Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal
Oxidecapaciteit van NMOS
​ Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom Formule

Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie
Rout = VA/ID'

Wat is een MOSFET en hoe werkt het?

Over het algemeen werkt de MOSFET als een schakelaar, de MOSFET regelt de spanning en stroom tussen de source en drain. De werking van de MOSFET hangt af van de MOS-condensator, het halfgeleideroppervlak onder de oxidelagen tussen de source- en drain-aansluiting.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!