Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno Calculadora

✖O parâmetro do dispositivo é o parâmetro usado no cálculo relacionado ao MOSFET.VA é proporcional ao comprimento do canal L que o projetista seleciona para um MOSFET.ⓘ Parâmetro do dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal significa que a corrente de dreno da região de saturação aumentará ligeiramente à medida que a tensão dreno para fonte aumenta.ⓘ Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal [I_D']			+10% -10%

✖A resistência de saída refere-se à resistência de um circuito eletrônico ao fluxo de corrente quando uma carga é conectada à sua saída.ⓘ Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno [R_out]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Fórmula

`"R"_{"out"} = "V"_{"A"}/("I"_{"D"}"'")`

Exemplo

`"1.25kΩ"="4V"/"3.2mA"`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal
R_out = V_A/I_D'
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Resistência de saída - (Medido em Ohm) - A resistência de saída refere-se à resistência de um circuito eletrônico ao fluxo de corrente quando uma carga é conectada à sua saída.
Parâmetro do dispositivo - (Medido em Volt) - O parâmetro do dispositivo é o parâmetro usado no cálculo relacionado ao MOSFET.VA é proporcional ao comprimento do canal L que o projetista seleciona para um MOSFET.
Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal - (Medido em Ampere) - Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal significa que a corrente de dreno da região de saturação aumentará ligeiramente à medida que a tensão dreno para fonte aumenta.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro do dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal: 3.2 Miliamperes --> 0.0032 Ampere (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

R_out = V_A/I_D' --> 4/0.0032

Avaliando ... ...

R_out = 1250

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1250 Ohm -->1.25 Quilohm (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1.25 Quilohm <-- Resistência de saída

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Aprimoramento do Canal N » Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)

Efeito Corporal em NMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

NMOS como resistência linear

Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS

Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela

Potência total dissipada em NMOS

Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal

Capacitância de óxido de NMOS

Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno Fórmula

Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal
R_out = V_A/I_D'

O que é um MOSFET e como funciona?

Em geral, o MOSFET funciona como uma chave, o MOSFET controla a tensão e o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. O funcionamento do MOSFET depende do capacitor MOS, que é a superfície do semicondutor abaixo das camadas de óxido entre a fonte e o terminal de drenagem.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!