Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Calculatrice

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✖La tension de seuil de polarisation nulle est définie comme la tension de grille requise lorsque la tension source-substrat est nulle.ⓘ Tension de seuil de polarisation nulle [V_T0]			+10% -10%
✖La transconductance du NMOS dans le CMOS est définie comme la multiplication de la mobilité des électrons, le rapport largeur/longueur du NMOS et la capacité de l'oxyde.ⓘ Transconductance du NMOS [K_n]			+10% -10%
✖La résistance de charge est définie comme un composant électronique qui limite la quantité de courant circulant dans un circuit.ⓘ Résistance à la charge [R_L]			+10% -10%

✖Tension d'entrée maximale de charge résistive CMOS est définie comme la tension d'entrée maximale qui peut être interprétée comme un « 0 » logique lorsque le type de charge est résistif.ⓘ Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS [V_IL(RL)]

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Formule

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Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Formule

`"V"_{"IL(RL)"} = "V"_{"T0"}+(1/("K"_{"n"}*"R"_{"L"}))`

Exemple

`"1.4025V"="1.4V"+(1/("200µA/V²"*"2MΩ"))`

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Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))
V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L))
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS - (Mesuré en Volt) - Tension d'entrée maximale de charge résistive CMOS est définie comme la tension d'entrée maximale qui peut être interprétée comme un « 0 » logique lorsque le type de charge est résistif.
Tension de seuil de polarisation nulle - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil de polarisation nulle est définie comme la tension de grille requise lorsque la tension source-substrat est nulle.
Transconductance du NMOS - (Mesuré en Ampère par volt carré) - La transconductance du NMOS dans le CMOS est définie comme la multiplication de la mobilité des électrons, le rapport largeur/longueur du NMOS et la capacité de l'oxyde.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est définie comme un composant électronique qui limite la quantité de courant circulant dans un circuit.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil de polarisation nulle: 1.4 Volt --> 1.4 Volt Aucune conversion requise
Transconductance du NMOS: 200 Microampère par volt carré --> 0.0002 Ampère par volt carré (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la charge: 2 mégohm --> 2000000 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L)) --> 1.4+(1/(0.0002*2000000))

Évaluer ... ...

V_IL(RL) = 1.4025

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.4025 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.4025 Volt <-- Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 17 Onduleurs CMOS Calculatrices

Retard de propagation pour les CMOS de transition de faible à haut rendement

Aller Temps de transition de faible à élevée de la sortie = (Capacité de charge/(Transconductance du PMOS*(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))))*(((2*abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))/(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle)))+ln((4*(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))/Tension d'alimentation)-1))

Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse

Aller Temps de transition de haut en bas de la sortie = (Capacité de charge/(Transconductance du NMOS*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)))*((2*Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle/(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle))+ln((4*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)/Tension d'alimentation)-1))

Charge résistive Tension de sortie minimale CMOS

Aller Tension de sortie minimale de charge résistive = Tension d'alimentation-Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-sqrt((Tension d'alimentation-Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)))^2-(2*Tension d'alimentation/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)))

Tension d'entrée maximale CMOS

Aller Tension d'entrée maximale CMOS = (2*Tension de sortie pour entrée maximale+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)-Tension d'alimentation+Rapport de transconductance*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/(1+Rapport de transconductance)

Tension de seuil CMOS

Aller Tension de seuil = (Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle+sqrt(1/Rapport de transconductance)*(Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)))/(1+sqrt(1/Rapport de transconductance))

Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS

Aller Tension d'entrée minimale de charge résistive = Tension de seuil de polarisation nulle+sqrt((8*Tension d'alimentation)/(3*Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))

Tension d'entrée minimale CMOS

Aller Tension d'entrée minimale = (Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)+Rapport de transconductance*(2*Tension de sortie+Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle))/(1+Rapport de transconductance)

Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS

Aller Capacité de charge = Capacité de drain de grille du PMOS+Capacité de drain de grille du NMOS+Capacité de drainage en vrac du PMOS+Capacité de drainage en vrac du NMOS+Capacité interne+Capacité de porte

Énergie fournie par l'alimentation électrique

Aller Énergie fournie par l'alimentation électrique = int(Tension d'alimentation*Courant de vidange instantané*x,x,0,Intervalle de charge du condensateur)

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Aller Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))

Délai de propagation moyen CMOS

Aller Délai de propagation moyen = (Temps de transition de haut en bas de la sortie+Temps de transition de faible à élevée de la sortie)/2

Dissipation de puissance moyenne CMOS

Aller Dissipation de puissance moyenne = Capacité de charge*(Tension d'alimentation)^2*Fréquence

Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique

Aller Tension d'entrée maximale = (3*Tension d'alimentation+2*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/8

Tension d'entrée minimale pour CMOS symétrique

Aller Tension d'entrée minimale = (5*Tension d'alimentation-2*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/8

Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS

Aller Période d'oscillation = 2*Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau*Délai de propagation moyen

Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé

Aller Marge de bruit pour un signal élevé = Tension de sortie maximale-Tension d'entrée minimale

Rapport de transconductance CMOS

Aller Rapport de transconductance = Transconductance du NMOS/Transconductance du PMOS

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS Formule

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))
V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L))

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