Largura da Zona de Depleção Calculadora

Largura da região de esgotamento = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densidade de dopagem))*(Barreira Potencial Schottky-Tensão do portão))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)Largura da região de esgotamento - (Medido em Metro) - A região de largura de esgotamento é uma região em um dispositivo semicondutor onde não há portadores de carga gratuitos.
Densidade de dopagem - (Medido em 1 por metro cúbico) - Densidade de dopagem refere-se à concentração de átomos dopantes em um material semicondutor. Dopantes são átomos de impureza introduzidos intencionalmente no semicondutor.
Barreira Potencial Schottky - (Medido em Volt) - A Barreira Potencial Schottky atua como uma barreira para os elétrons, e a altura da barreira depende da diferença da função de trabalho entre os dois materiais.
Tensão do portão - (Medido em Volt) - Tensão de porta é a tensão desenvolvida na junção fonte de porta de um transistor JFET.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)