Ширина зоны истощения Калькулятор

✖Плотность легирования относится к концентрации атомов легирующей примеси в полупроводниковом материале. Легирующие примеси — это атомы примесей, которые намеренно вводятся в полупроводник.ⓘ Плотность легирования [N_d]			+10% -10%
✖Потенциальный барьер Шоттки действует как барьер для электронов, а высота барьера зависит от разницы работ выхода между двумя материалами.ⓘ Потенциальный барьер Шоттки [V_i]			+10% -10%
✖Напряжение затвора — это напряжение, возникающее на переходе затвор-исток транзистора JFET.ⓘ Напряжение затвора [V_g]			+10% -10%

✖Ширина области обеднения — это область полупроводникового устройства, в которой нет свободных носителей заряда.ⓘ Ширина зоны истощения [x_depl]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ширина зоны истощения

Формула

`"x"_{"depl"} = sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"N"_{"d"}))*("V"_{"i"}-"V"_{"g"}))`

Пример

`"0.000159m"=sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"9e22/cm³"))*("15.9V"-"0.25V"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Микроволновые трубки и схемы формула PDF

Ширина зоны истощения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ширина области истощения = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Плотность легирования))*(Потенциальный барьер Шоттки-Напряжение затвора))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 4 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Ширина области истощения - (Измеряется в метр) - Ширина области обеднения — это область полупроводникового устройства, в которой нет свободных носителей заряда.
Плотность легирования - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Плотность легирования относится к концентрации атомов легирующей примеси в полупроводниковом материале. Легирующие примеси — это атомы примесей, которые намеренно вводятся в полупроводник.
Потенциальный барьер Шоттки - (Измеряется в вольт) - Потенциальный барьер Шоттки действует как барьер для электронов, а высота барьера зависит от разницы работ выхода между двумя материалами.
Напряжение затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвора — это напряжение, возникающее на переходе затвор-исток транзистора JFET.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Плотность легирования: 9E+22 1 на кубический сантиметр --> 9E+28 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Потенциальный барьер Шоттки: 15.9 вольт --> 15.9 вольт Конверсия не требуется
Напряжение затвора: 0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g)) --> sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25))

Оценка ... ...

x_depl = 0.000159363423174517

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.000159363423174517 метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.000159363423174517 ≈ 0.000159 метр <-- Ширина области истощения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые трубки и схемы » клистрон » Ширина зоны истощения

Кредиты

Сделано Сону Кумар Кешри

Национальный технологический институт, Патна (НИТР), Патна

Сону Кумар Кешри создал этот калькулятор и еще 5!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 600+!

< 13 клистрон Калькуляторы

Ширина зоны истощения

Идти Ширина области истощения = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Плотность легирования))*(Потенциальный барьер Шоттки-Напряжение затвора))

Взаимная проводимость клистрона-усилителя

Идти Взаимная проводимость клистронного усилителя = (2*Катодный ток Банчера*Коэффициент связи лучей*Функция Бесселя первого порядка)/Амплитуда входного сигнала

Клистрон КПД

Идти Клистрон Эффективность = (Комплексный коэффициент балки*Функция Бесселя первого порядка)*(Напряжение зазора ловушки/Катодное напряжение Банчера)

Параметр группировки клистрона

Идти Параметр группировки = (Коэффициент связи лучей*Амплитуда входного сигнала*Угловое изменение)/(2*Катодное напряжение Банчера)

Электропроводность при нагрузке на балку

Идти Проводимость нагрузки на балку = Проводимость полости-(Нагруженная проводимость+Проводимость медных потерь)

Потери меди в полости

Идти Проводимость медных потерь = Проводимость полости-(Проводимость нагрузки на балку+Нагруженная проводимость)

Проводимость полости

Идти Проводимость полости = Нагруженная проводимость+Проводимость медных потерь+Проводимость нагрузки на балку

Напряжение на аноде

Идти Анодное напряжение = Мощность, вырабатываемая в анодной цепи/(Анодный ток*Электронная эффективность)

Входная мощность рефлекторного клистрона

Идти Входная мощность рефлекторного клистрона = Рефлекторное напряжение клистрона*Ток рефлекторного клистрона

Резонансная частота полости

Идти Резонансная частота = Добротность резонатора*(Частота 2-Частота 1)

Транзитное время постоянного тока

Идти Время переходного процесса постоянного тока = Длина ворот/Скорость дрейфа насыщения

Потери мощности в анодной цепи

Идти Потеря мощности = Источник постоянного тока*(1-Электронная эффективность)

Источник постоянного тока

Идти Источник постоянного тока = Потеря мощности/(1-Электронная эффективность)

Ширина зоны истощения формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!