क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)/(2*क्लस्टर की त्रिज्या)
Ecoul = (Q^2)/(2*R0)
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है
चर
आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा - (में मापा गया जूल) - आवेशित गोले की कूलम्ब ऊर्जा निश्चित त्रिज्या के आवेशित संवाहक गोले में समाहित कुल ऊर्जा है।
सतही इलेक्ट्रॉन - सतही इलेक्ट्रॉन किसी ठोस सतह में मौजूद इलेक्ट्रॉनों की संख्या या किसी विशेष स्थिति में माने जाने वाले इलेक्ट्रॉनों की संख्या है।
क्लस्टर की त्रिज्या - (में मापा गया मीटर) - क्लस्टर की त्रिज्या क्लस्टर के किसी भी बिंदु से उसके केन्द्रक तक की औसत दूरी का वर्गमूल है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
सतही इलेक्ट्रॉन: 20 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
क्लस्टर की त्रिज्या: 40 नैनोमीटर --> 4E-08 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Ecoul = (Q^2)/(2*R0) --> (20^2)/(2*4E-08)
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Ecoul = 5000000000
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
5000000000 जूल --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
5000000000 5E+9 जूल <-- आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

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के द्वारा बनाई गई अभिजीत घरफलिया
राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान, मेघालय (एनआईटी मेघालय), शिलांग
अभिजीत घरफलिया ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
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के द्वारा सत्यापित सौपायन बनर्जी
न्यायिक विज्ञान के राष्ट्रीय विश्वविद्यालय (एनयूजेएस), कोलकाता
सौपायन बनर्जी ने इस कैलकुलेटर और 800+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

8 क्लस्टर और नैनोकणों में इलेक्ट्रॉनिक संरचना कैलक्युलेटर्स

तटस्थ प्रणाली में तरल पदार्थ की बूंद की ऊर्जा
​ जाओ तरल बूंद की ऊर्जा = प्रति परमाणु ऊर्जा*परमाणु की संख्या+सतही परमाणु की बाइंडिंग ऊर्जा की कमी*(परमाणु की संख्या^(2/3))+वक्रता गुणांक*(परमाणु की संख्या^(1/3))
सतह तनाव का उपयोग करके समतल सतह की ऊर्जा की कमी
​ जाओ सतह की ऊर्जा की कमी = सतह तनाव*4*pi*(विग्नर सेट्ज़ त्रिज्या^2)*(परमाणु की संख्या^(2/3))
विग्नर सेट्ज़ त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा
​ जाओ आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)*(परमाणु की संख्या^(1/3))/(2*विग्नर सेट्ज़ त्रिज्या)
बाइंडिंग एनर्जी डेफिशिएंसी का उपयोग करके समतल सतह की ऊर्जा कमी
​ जाओ सतह की ऊर्जा की कमी = सतही परमाणु की बाइंडिंग ऊर्जा की कमी*(परमाणु की संख्या^(2/3))
क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा
​ जाओ आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)/(2*क्लस्टर की त्रिज्या)
विग्नर सेट्ज़ रेडियस का उपयोग करके क्लस्टर का त्रिज्या
​ जाओ क्लस्टर की त्रिज्या = विग्नर सेट्ज़ त्रिज्या*(परमाणु की संख्या^(1/3))
क्लस्टर सतह युक्त वक्रता की ऊर्जा की कमी
​ जाओ वक्रता की ऊर्जा की कमी = वक्रता गुणांक*(परमाणु की संख्या^(1/3))
क्लस्टर की प्रति इकाई आयतन ऊर्जा
​ जाओ प्रति इकाई आयतन ऊर्जा = प्रति परमाणु ऊर्जा*परमाणु की संख्या

क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा सूत्र

आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)/(2*क्लस्टर की त्रिज्या)
Ecoul = (Q^2)/(2*R0)

क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा की गणना कैसे करें?

क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया सतही इलेक्ट्रॉन (Q), सतही इलेक्ट्रॉन किसी ठोस सतह में मौजूद इलेक्ट्रॉनों की संख्या या किसी विशेष स्थिति में माने जाने वाले इलेक्ट्रॉनों की संख्या है। के रूप में & क्लस्टर की त्रिज्या (R0), क्लस्टर की त्रिज्या क्लस्टर के किसी भी बिंदु से उसके केन्द्रक तक की औसत दूरी का वर्गमूल है। के रूप में डालें। कृपया क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा गणना

क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा कैलकुलेटर, आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा की गणना करने के लिए Coulomb Energy of Charged Sphere = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)/(2*क्लस्टर की त्रिज्या) का उपयोग करता है। क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा Ecoul को क्लस्टर सूत्र की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा को ठोस सतह से निकाले गए इलेक्ट्रॉनों की संख्या और क्लस्टर की त्रिज्या के दो गुना के वर्ग के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 5E+9 = (20^2)/(2*4E-08). आप और अधिक क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा क्या है?
क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा क्लस्टर सूत्र की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा को ठोस सतह से निकाले गए इलेक्ट्रॉनों की संख्या और क्लस्टर की त्रिज्या के दो गुना के वर्ग के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे Ecoul = (Q^2)/(2*R0) या Coulomb Energy of Charged Sphere = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)/(2*क्लस्टर की त्रिज्या) के रूप में दर्शाया जाता है।
क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा की गणना कैसे करें?
क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा को क्लस्टर सूत्र की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा को ठोस सतह से निकाले गए इलेक्ट्रॉनों की संख्या और क्लस्टर की त्रिज्या के दो गुना के वर्ग के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। Coulomb Energy of Charged Sphere = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)/(2*क्लस्टर की त्रिज्या) Ecoul = (Q^2)/(2*R0) के रूप में परिभाषित किया गया है। क्लस्टर की त्रिज्या का उपयोग करके आवेशित कण की कूलम्ब ऊर्जा की गणना करने के लिए, आपको सतही इलेक्ट्रॉन (Q) & क्लस्टर की त्रिज्या (R0) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको सतही इलेक्ट्रॉन किसी ठोस सतह में मौजूद इलेक्ट्रॉनों की संख्या या किसी विशेष स्थिति में माने जाने वाले इलेक्ट्रॉनों की संख्या है। & क्लस्टर की त्रिज्या क्लस्टर के किसी भी बिंदु से उसके केन्द्रक तक की औसत दूरी का वर्गमूल है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा की गणना करने के कितने तरीके हैं?
आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा सतही इलेक्ट्रॉन (Q) & क्लस्टर की त्रिज्या (R0) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -
  • आवेशित क्षेत्र की कूलम्ब ऊर्जा = (सतही इलेक्ट्रॉन^2)*(परमाणु की संख्या^(1/3))/(2*विग्नर सेट्ज़ त्रिज्या)
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