दाता डोपेंट एकाग्रता कैलकुलेटर

✖संतृप्ति धारा से तात्पर्य उस अधिकतम धारा से है जो ट्रांजिस्टर के माध्यम से प्रवाहित हो सकती है जब वह पूरी तरह से चालू हो।ⓘ संतृप्ति धारा [I_sat]			+10% -10%
✖ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।ⓘ ट्रांजिस्टर की लंबाई [L_t]			+10% -10%
✖ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।ⓘ ट्रांजिस्टर की चौड़ाई [W_t]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं।ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%
✖प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है।ⓘ ह्रास परत धारिता [C_dep]			+10% -10%

✖दाता डोपेंट एकाग्रता प्रति इकाई आयतन दाता परमाणुओं की सांद्रता है।ⓘ दाता डोपेंट एकाग्रता [N_d]

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सूत्र

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दाता डोपेंट एकाग्रता

सूत्र

`"N"_{"d"} = ("I"_{"sat"}*"L"_{"t"})/("[Charge-e]"*"W"_{"t"}*"μ"_{"n"}*"C"_{"dep"})`

उदाहरण

`"1.7E^23electrons/m³"=("2.015A"*"3.2μm")/("[Charge-e]"*"5.5μm"*"30m²/V*s"*"1.4μF")`

कैलकुलेटर

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रीसेट

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दाता डोपेंट एकाग्रता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

दाता डोपेंट एकाग्रता = (संतृप्ति धारा*ट्रांजिस्टर की लंबाई)/([Charge-e]*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ह्रास परत धारिता)
N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep)
यह सूत्र 1 स्थिरांक, 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

लगातार इस्तेमाल किया

[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश मान लिया गया 1.60217662E-19

चर

दाता डोपेंट एकाग्रता - (में मापा गया प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन) - दाता डोपेंट एकाग्रता प्रति इकाई आयतन दाता परमाणुओं की सांद्रता है।
संतृप्ति धारा - (में मापा गया एम्पेयर) - संतृप्ति धारा से तात्पर्य उस अधिकतम धारा से है जो ट्रांजिस्टर के माध्यम से प्रवाहित हो सकती है जब वह पूरी तरह से चालू हो।
ट्रांजिस्टर की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
ट्रांजिस्टर की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं।
ह्रास परत धारिता - (में मापा गया फैरड) - प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

संतृप्ति धारा: 2.015 एम्पेयर --> 2.015 एम्पेयर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ट्रांजिस्टर की लंबाई: 3.2 माइक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
ट्रांजिस्टर की चौड़ाई: 5.5 माइक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 30 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 30 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
ह्रास परत धारिता: 1.4 माइक्रोफ़ारड --> 1.4E-06 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep) --> (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

N_d = 1.74221865211214E+23

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

1.74221865211214E+23 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

1.74221865211214E+23 ≈ 1.7E+23 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन <-- दाता डोपेंट एकाग्रता

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) » एमओएस आईसी निर्माण » दाता डोपेंट एकाग्रता

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई भानुप्रकाश

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर

भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर

संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 एमओएस आईसी निर्माण कैलक्युलेटर्स

स्विचिंग प्वाइंट वोल्टेज

जाओ स्विचिंग प्वाइंट वोल्टेज = (वोल्टेज आपूर्ति+पीएमओएस थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+एनएमओएस थ्रेसहोल्ड वोल्टेज*sqrt(एनएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ))/(1+sqrt(एनएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ))

MOSFET में शारीरिक प्रभाव

जाओ सब्सट्रेट के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज = शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+शारीरिक प्रभाव पैरामीटर*(sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता+शरीर पर लागू वोल्टेज)-sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता))

दाता डोपेंट एकाग्रता

जाओ दाता डोपेंट एकाग्रता = (संतृप्ति धारा*ट्रांजिस्टर की लंबाई)/([Charge-e]*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ह्रास परत धारिता)

संतृप्ति क्षेत्र में MOSFET का ड्रेन करंट

जाओ नाली का करंट = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर/2*(गेट स्रोत वोल्टेज-शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज)^2*(1+चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन फैक्टर*नाली स्रोत वोल्टेज)

स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता

जाओ स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रांजिस्टर की लंबाई*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*[Charge-e]*छेद गतिशीलता*ह्रास परत धारिता)

अधिकतम डोपेंट सांद्रण

जाओ अधिकतम डोपेंट सांद्रण = संदर्भ एकाग्रता*exp(-ठोस घुलनशीलता के लिए सक्रियण ऊर्जा/([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान))

प्रचार-प्रसार का समय

जाओ प्रचार-प्रसार का समय = 0.7*पास ट्रांजिस्टर की संख्या*((पास ट्रांजिस्टर की संख्या+1)/2)*MOSFET में प्रतिरोध*लोड कैपेसिटेंस

मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व

जाओ इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व

जाओ छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*छिद्र एकाग्रता*छेद गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता

चैनल प्रतिरोध

जाओ चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)

MOSFET एकता-लाभ आवृत्ति

जाओ MOSFET में यूनिटी गेन आवृत्ति = MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स/(गेट स्रोत धारिता+गेट ड्रेन कैपेसिटेंस)

महत्वपूर्ण आयाम

जाओ महत्वपूर्ण आयाम = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र

फोकस की गहराई

जाओ फोकस की गहराई = आनुपातिकता कारक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/(संख्यात्मक छिद्र^2)

प्रति वफ़र मरो

जाओ प्रति वफ़र मरो = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक पासे का आकार)

समतुल्य ऑक्साइड मोटाई

जाओ समतुल्य ऑक्साइड मोटाई = सामग्री की मोटाई*(3.9/सामग्री का ढांकता हुआ स्थिरांक)

दाता डोपेंट एकाग्रता सूत्र

दाता डोपेंट एकाग्रता की गणना कैसे करें?

दाता डोपेंट एकाग्रता के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया संतृप्ति धारा (I_sat), संतृप्ति धारा से तात्पर्य उस अधिकतम धारा से है जो ट्रांजिस्टर के माध्यम से प्रवाहित हो सकती है जब वह पूरी तरह से चालू हो। के रूप में, ट्रांजिस्टर की लंबाई (L_t), ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। के रूप में, ट्रांजिस्टर की चौड़ाई (W_t), ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। के रूप में, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं। के रूप में & ह्रास परत धारिता (C_dep), प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है। के रूप में डालें। कृपया दाता डोपेंट एकाग्रता गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

दाता डोपेंट एकाग्रता गणना

दाता डोपेंट एकाग्रता कैलकुलेटर, दाता डोपेंट एकाग्रता की गणना करने के लिए Donor Dopant Concentration = (संतृप्ति धारा*ट्रांजिस्टर की लंबाई)/([Charge-e]*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ह्रास परत धारिता) का उपयोग करता है। दाता डोपेंट एकाग्रता N_d को दाता डोपेंट एकाग्रता सूत्र को चालन के लिए उपलब्ध मुक्त चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों) की संख्या बढ़ाने के लिए जानबूझकर अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता परमाणुओं की एकाग्रता के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ दाता डोपेंट एकाग्रता गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 1.7E+23 = (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06). आप और अधिक दाता डोपेंट एकाग्रता उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

दाता डोपेंट एकाग्रता क्या है?

दाता डोपेंट एकाग्रता दाता डोपेंट एकाग्रता सूत्र को चालन के लिए उपलब्ध मुक्त चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों) की संख्या बढ़ाने के लिए जानबूझकर अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता परमाणुओं की एकाग्रता के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep) या Donor Dopant Concentration = (संतृप्ति धारा*ट्रांजिस्टर की लंबाई)/([Charge-e]*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ह्रास परत धारिता) के रूप में दर्शाया जाता है।

दाता डोपेंट एकाग्रता की गणना कैसे करें?

दाता डोपेंट एकाग्रता को दाता डोपेंट एकाग्रता सूत्र को चालन के लिए उपलब्ध मुक्त चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों) की संख्या बढ़ाने के लिए जानबूझकर अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता परमाणुओं की एकाग्रता के रूप में परिभाषित किया गया है। Donor Dopant Concentration = (संतृप्ति धारा*ट्रांजिस्टर की लंबाई)/([Charge-e]*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ह्रास परत धारिता) N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep) के रूप में परिभाषित किया गया है। दाता डोपेंट एकाग्रता की गणना करने के लिए, आपको संतृप्ति धारा (I_sat), ट्रांजिस्टर की लंबाई (L_t), ट्रांजिस्टर की चौड़ाई (W_t), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n) & ह्रास परत धारिता (C_dep) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको संतृप्ति धारा से तात्पर्य उस अधिकतम धारा से है जो ट्रांजिस्टर के माध्यम से प्रवाहित हो सकती है जब वह पूरी तरह से चालू हो।, ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं। & प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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