दाता डोपेंट एकाग्रता कैलकुलेटर

दाता डोपेंट एकाग्रता को दाता डोपेंट एकाग्रता सूत्र को चालन के लिए उपलब्ध मुक्त चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों) की संख्या बढ़ाने के लिए जानबूझकर अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता परमाणुओं की एकाग्रता के रूप में परिभाषित किया गया है। Donor Dopant Concentration = (संतृप्ति धारा*ट्रांजिस्टर की लंबाई)/([Charge-e]*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ह्रास परत धारिता) N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep) के रूप में परिभाषित किया गया है। दाता डोपेंट एकाग्रता की गणना करने के लिए, आपको संतृप्ति धारा (I_sat), ट्रांजिस्टर की लंबाई (L_t), ट्रांजिस्टर की चौड़ाई (W_t), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n) & ह्रास परत धारिता (C_dep) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको संतृप्ति धारा से तात्पर्य उस अधिकतम धारा से है जो ट्रांजिस्टर के माध्यम से प्रवाहित हो सकती है जब वह पूरी तरह से चालू हो।, ट्रांजिस्टर की लंबाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की लंबाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, ट्रांजिस्टर की चौड़ाई MOSFET में चैनल क्षेत्र की चौड़ाई को संदर्भित करती है। यह आयाम ट्रांजिस्टर की विद्युत विशेषताओं और प्रदर्शन को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में इलेक्ट्रॉन कितनी तेजी से सामग्री के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं। & प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत धारिता प्रति इकाई क्षेत्र ह्रास परत की धारिता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।