Концентрация донорской легирующей примеси Калькулятор

✖Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.ⓘ Ток насыщения [I_sat]			+10% -10%
✖Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Длина транзистора [L_t]			+10% -10%
✖Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Ширина транзистора [W_t]			+10% -10%
✖Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.ⓘ Электронная подвижность [μ_n]			+10% -10%
✖Емкость истощенного слоя на единицу площади — это емкость истощенного слоя на единицу площади.ⓘ Емкость слоя обеднения [C_dep]			+10% -10%

✖Концентрация донорной легирующей примеси — это концентрация донорных атомов в единице объема.ⓘ Концентрация донорской легирующей примеси [N_d]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Концентрация донорской легирующей примеси

Формула

`"N"_{"d"} = ("I"_{"sat"}*"L"_{"t"})/("[Charge-e]"*"W"_{"t"}*"μ"_{"n"}*"C"_{"dep"})`

Пример

`"1.7E^23electrons/m³"=("2.015A"*"3.2μm")/("[Charge-e]"*"5.5μm"*"30m²/V*s"*"1.4μF")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Концентрация донорской легирующей примеси Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)
N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep)
В этой формуле используются 1 Константы, 6 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Концентрация донорской легирующей примеси - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Концентрация донорной легирующей примеси — это концентрация донорных атомов в единице объема.
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.
Длина транзистора - (Измеряется в метр) - Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Ширина транзистора - (Измеряется в метр) - Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Электронная подвижность - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.
Емкость слоя обеднения - (Измеряется в фарада) - Емкость истощенного слоя на единицу площади — это емкость истощенного слоя на единицу площади.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Ток насыщения: 2.015 Ампер --> 2.015 Ампер Конверсия не требуется
Длина транзистора: 3.2 микрометр --> 3.2E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Ширина транзистора: 5.5 микрометр --> 5.5E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Электронная подвижность: 30 Квадратный метр на вольт в секунду --> 30 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Емкость слоя обеднения: 1.4 Микрофарад --> 1.4E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep) --> (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06)

Оценка ... ...

N_d = 1.74221865211214E+23

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.74221865211214E+23 Электронов на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.74221865211214E+23 ≈ 1.7E+23 Электронов на кубический метр <-- Концентрация донорской легирующей примеси

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Концентрация донорской легирующей примеси

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Концентрация донорской легирующей примеси формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!