Concentrazione del drogante del donatore calcolatrice

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✖La corrente di saturazione si riferisce alla corrente massima che può fluire attraverso il transistor quando è completamente acceso.ⓘ Corrente di saturazione [I_sat]			+10% -10%
✖La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Lunghezza del transistor [L_t]			+10% -10%
✖La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Larghezza del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.ⓘ Mobilità elettronica [μ_n]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di svuotamento per unità di area è la capacità dello strato di svuotamento per unità di area.ⓘ Capacità dello strato di esaurimento [C_dep]			+10% -10%

✖La concentrazione del drogante donatore è la concentrazione di atomi donatori per unità di volume.ⓘ Concentrazione del drogante del donatore [N_d]

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Formula

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Concentrazione del drogante del donatore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)
N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 6 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Concentrazione del drogante del donatore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione del drogante donatore è la concentrazione di atomi donatori per unità di volume.
Corrente di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di saturazione si riferisce alla corrente massima che può fluire attraverso il transistor quando è completamente acceso.
Lunghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Larghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Mobilità elettronica - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.
Capacità dello strato di esaurimento - (Misurato in Farad) - La capacità dello strato di svuotamento per unità di area è la capacità dello strato di svuotamento per unità di area.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente di saturazione: 2.015 Ampere --> 2.015 Ampere Nessuna conversione richiesta
Lunghezza del transistor: 3.2 Micrometro --> 3.2E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza del transistor: 5.5 Micrometro --> 5.5E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Mobilità elettronica: 30 Metro quadrato per Volt al secondo --> 30 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità dello strato di esaurimento: 1.4 Microfarad --> 1.4E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep) --> (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06)

Valutare ... ...

N_d = 1.74221865211214E+23

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.74221865211214E+23 Elettroni per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.74221865211214E+23 ≈ 1.7E+23 Elettroni per metro cubo <-- Concentrazione del drogante del donatore

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Banu Prakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

Banu Prakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Effetto corpo nel MOSFET

LaTeX Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Resistenza del canale

LaTeX Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

LaTeX Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

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