Concentratie van donordoteringsmiddelen Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)
Nd = (Isat*Lt)/([Charge-e]*Wt*μn*Cdep)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 6 Variabelen
Gebruikte constanten
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Variabelen gebruikt
Concentratie van donordoteringsmiddelen - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Donordoteringsconcentratie is de concentratie van donoratomen per volume-eenheid.
Verzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsstroom verwijst naar de maximale stroom die door de transistor kan stromen wanneer deze volledig is ingeschakeld.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Capaciteit van de uitputtingslaag - (Gemeten in Farad) - De capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid is de capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Verzadigingsstroom: 2.015 Ampère --> 2.015 Ampère Geen conversie vereist
Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Elektronenmobiliteit: 30 Vierkante meter per volt per seconde --> 30 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Capaciteit van de uitputtingslaag: 1.4 Microfarad --> 1.4E-06 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Nd = (Isat*Lt)/([Charge-e]*Wtn*Cdep) --> (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06)
Evalueren ... ...
Nd = 1.74221865211214E+23
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.74221865211214E+23 Elektronen per kubieke meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.74221865211214E+23 1.7E+23 Elektronen per kubieke meter <-- Concentratie van donordoteringsmiddelen
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Banu Prakash LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Kanaal weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
​ LaTeX ​ Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Concentratie van donordoteringsmiddelen Formule

​LaTeX ​Gaan
Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)
Nd = (Isat*Lt)/([Charge-e]*Wt*μn*Cdep)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!