वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

✖स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं।ⓘ मापन कारक [Sf]			+10% -10%
✖प्रति यूनिट क्षेत्र ऑक्साइड कैपेसिटेंस को इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत के प्रति यूनिट क्षेत्र कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो धातु गेट को अर्धचालक सामग्री से अलग करता है।ⓘ प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता [C_oxide]			+10% -10%

✖वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस, वोल्टेज स्केलिंग द्वारा डिवाइस को स्केल करने के बाद मेटल गेट और सब्सट्रेट के बीच ऑक्साइड परत से जुड़ी कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है।ⓘ वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस [C_ox(vs)']

⎘ कॉपी

👎

सूत्र

✖

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

सूत्र

`("C"_{"ox(vs)"}"'") = "Sf"*"C"_{"oxide"}`

उदाहरण

`"105.45nF/cm²"="1.5"*"0.0703μF/cm²"`

कैलकुलेटर

LaTeX

रीसेट

👍

डाउनलोड करना इलेक्ट्रानिक्स सूत्र पीडीएफ PDF Image

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस = मापन कारक*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता
C_ox(vs)' = Sf*C_oxide
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैराड प्रति वर्ग मीटर) - वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस, वोल्टेज स्केलिंग द्वारा डिवाइस को स्केल करने के बाद मेटल गेट और सब्सट्रेट के बीच ऑक्साइड परत से जुड़ी कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है।
मापन कारक - स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं।
प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैराड प्रति वर्ग मीटर) - प्रति यूनिट क्षेत्र ऑक्साइड कैपेसिटेंस को इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत के प्रति यूनिट क्षेत्र कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो धातु गेट को अर्धचालक सामग्री से अलग करता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

मापन कारक: 1.5 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता: 0.0703 माइक्रोफ़ारड प्रति वर्ग सेंटीमीटर --> 0.000703 फैराड प्रति वर्ग मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_ox(vs)' = Sf*C_oxide --> 1.5*0.000703

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_ox(vs)' = 0.0010545

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.0010545 फैराड प्रति वर्ग मीटर -->105.45 नैनोफराड प्रति वर्ग सेंटीमीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

105.45 नैनोफराड प्रति वर्ग सेंटीमीटर <-- वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

(गणना 00.014 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » वीएलएसआई निर्माण » वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन » वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई प्रियंका पटेल

लालभाई दलपतभाई कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (एलडीसीई), अहमदाबाद

प्रियंका पटेल ने इस कैलकुलेटर और 25+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर

संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 25 वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन कैलक्युलेटर्स

थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व वीएलएसआई

जाओ थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व = -(1-((स्रोत सहित ह्रास क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार+अपवाह के साथ क्षय क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार)/(2*चैनल की लंबाई)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकर्ता एकाग्रता*abs(2*सतही क्षमता))

शारीरिक प्रभाव गुणांक

जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

स्रोत वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई

जाओ स्रोत के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई

जाओ जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

कुल स्रोत परजीवी समाई

जाओ स्रोत परजीवी समाई = (शरीर और स्रोत के जंक्शन के बीच समाई*स्रोत प्रसार का क्षेत्र)+(बॉडी के जंक्शन और साइड की दीवार के बीच की क्षमता*स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि)

लघु चैनल संतृप्ति धारा वीएलएसआई

जाओ लघु चैनल संतृप्ति धारा = चैनल की चौड़ाई*संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*संतृप्ति नाली स्रोत वोल्टेज

जंक्शन करंट

जाओ जंक्शन करंट = (स्थैतिक शक्ति/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(उप दहलीज धारा+विवाद वर्तमान+गेट करंट)

भूतल क्षमता

जाओ सतही क्षमता = 2*स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

डीआईबीएल गुणांक

जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो

जाओ दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस का उपयोग करके गेट की लंबाई

जाओ गेट की लंबाई = गेट कैपेसिटेंस/(गेट ऑक्साइड परत की धारिता*गेट की चौड़ाई)

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ गेट ऑक्साइड परत की धारिता = गेट कैपेसिटेंस/(गेट की चौड़ाई*गेट की लंबाई)

सबथ्रेशोल्ड ढलान

जाओ उप दहलीज ढलान = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10)

गेट कैपेसिटेंस

जाओ गेट कैपेसिटेंस = चैनल चार्ज/(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सीमा वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट टू चैनल वोल्टेज-(चैनल चार्ज/गेट कैपेसिटेंस)

चैनल चार्ज

जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस = प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*मापन कारक

गंभीर वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई = गेट ऑक्साइड की मोटाई/मापन कारक

आंतरिक गेट क्षमता

जाओ एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की चौड़ाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की चौड़ाई = चैनल की चौड़ाई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद जंक्शन गहराई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद जंक्शन की गहराई = जंक्शन गहराई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की लंबाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की लंबाई = चैनल की लंबाई/मापन कारक

मॉसफेट में गतिशीलता

जाओ MOSFET में गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साइड परत की धारिता

के-प्राइम

जाओ के प्राइम = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस सूत्र

वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस = मापन कारक*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता
C_ox(vs)' = Sf*C_oxide

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया मापन कारक (Sf), स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं। के रूप में & प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता (C_oxide), प्रति यूनिट क्षेत्र ऑक्साइड कैपेसिटेंस को इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत के प्रति यूनिट क्षेत्र कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो धातु गेट को अर्धचालक सामग्री से अलग करता है। के रूप में डालें। कृपया वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस गणना

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए Oxide capacitance after voltage scaling = मापन कारक*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता का उपयोग करता है। वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस C_ox(vs)' को वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस वीएलएसआई फॉर्मूला को वोल्टेज स्केलिंग द्वारा डिवाइस को स्केल करने के बाद धातु गेट और सब्सट्रेट के बीच ऑक्साइड परत से जुड़े कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 1.1E+7 = 1.5*0.000703. आप और अधिक वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस क्या है?

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस वीएलएसआई फॉर्मूला को वोल्टेज स्केलिंग द्वारा डिवाइस को स्केल करने के बाद धातु गेट और सब्सट्रेट के बीच ऑक्साइड परत से जुड़े कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे C_ox(vs)' = Sf*C_oxide या Oxide capacitance after voltage scaling = मापन कारक*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता के रूप में दर्शाया जाता है।

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस को वोल्टेज स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस वीएलएसआई फॉर्मूला को वोल्टेज स्केलिंग द्वारा डिवाइस को स्केल करने के बाद धातु गेट और सब्सट्रेट के बीच ऑक्साइड परत से जुड़े कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। Oxide capacitance after voltage scaling = मापन कारक*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता C_ox(vs)' = Sf*C_oxide के रूप में परिभाषित किया गया है। वोल्टेज स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको मापन कारक (Sf) & प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता (C_oxide) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको स्केलिंग फ़ैक्टर को उस अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है जिसके द्वारा डिज़ाइन प्रक्रिया के दौरान ट्रांजिस्टर के आयाम बदले जाते हैं। & प्रति यूनिट क्षेत्र ऑक्साइड कैपेसिटेंस को इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत के प्रति यूनिट क्षेत्र कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो धातु गेट को अर्धचालक सामग्री से अलग करता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

होम

मुक्त पीडीएफ़

🔍 खोज

श्रेणियाँ

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!