शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई कैलकुलेटर

✖शून्य बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज को MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जब सब्सट्रेट शून्य क्षमता पर होता है।ⓘ जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज [V_T0]			+10% -10%
✖शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज रिडक्शन को शॉर्ट चैनल प्रभाव के कारण MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी [ΔV_T0]			+10% -10%

✖स्केलिंग द्वारा MOSFET के आयामों में कमी के बाद शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज को आवश्यक गेट वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई [V_{T0(short channel)}]

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सूत्र

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शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई

सूत्र

`"V"_{"T0(short channel)"} = "V"_{"T0"}-"ΔV"_{"T0"}`

उदाहरण

`"0.395V"="0.855V"-"0.46V"`

कैलकुलेटर

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शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

लघु चैनल दहलीज वोल्टेज = जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज-शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी
V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

लघु चैनल दहलीज वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - स्केलिंग द्वारा MOSFET के आयामों में कमी के बाद शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज को आवश्यक गेट वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है।
जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - शून्य बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज को MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जब सब्सट्रेट शून्य क्षमता पर होता है।
शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी - (में मापा गया वोल्ट) - शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज रिडक्शन को शॉर्ट चैनल प्रभाव के कारण MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज: 0.855 वोल्ट --> 0.855 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी: 0.46 वोल्ट --> 0.46 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0 --> 0.855-0.46

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_{T0(short channel)} = 0.395

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.395 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.395 वोल्ट <-- लघु चैनल दहलीज वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई प्रियंका पटेल

लालभाई दलपतभाई कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (एलडीसीई), अहमदाबाद

प्रियंका पटेल ने इस कैलकुलेटर और 25+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर

संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 25 वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन कैलक्युलेटर्स

थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व वीएलएसआई

जाओ थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व = -(1-((स्रोत सहित ह्रास क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार+अपवाह के साथ क्षय क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार)/(2*चैनल की लंबाई)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकर्ता एकाग्रता*abs(2*सतही क्षमता))

शारीरिक प्रभाव गुणांक

जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

स्रोत वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई

जाओ स्रोत के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई

जाओ जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

कुल स्रोत परजीवी समाई

जाओ स्रोत परजीवी समाई = (शरीर और स्रोत के जंक्शन के बीच समाई*स्रोत प्रसार का क्षेत्र)+(बॉडी के जंक्शन और साइड की दीवार के बीच की क्षमता*स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि)

लघु चैनल संतृप्ति धारा वीएलएसआई

जाओ लघु चैनल संतृप्ति धारा = चैनल की चौड़ाई*संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*संतृप्ति नाली स्रोत वोल्टेज

जंक्शन करंट

जाओ जंक्शन करंट = (स्थैतिक शक्ति/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(उप दहलीज धारा+विवाद वर्तमान+गेट करंट)

भूतल क्षमता

जाओ सतही क्षमता = 2*स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

डीआईबीएल गुणांक

जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो

जाओ दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस का उपयोग करके गेट की लंबाई

जाओ गेट की लंबाई = गेट कैपेसिटेंस/(गेट ऑक्साइड परत की धारिता*गेट की चौड़ाई)

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ गेट ऑक्साइड परत की धारिता = गेट कैपेसिटेंस/(गेट की चौड़ाई*गेट की लंबाई)

सबथ्रेशोल्ड ढलान

जाओ उप दहलीज ढलान = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10)

गेट कैपेसिटेंस

जाओ गेट कैपेसिटेंस = चैनल चार्ज/(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सीमा वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट टू चैनल वोल्टेज-(चैनल चार्ज/गेट कैपेसिटेंस)

चैनल चार्ज

जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस = प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*मापन कारक

गंभीर वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई = गेट ऑक्साइड की मोटाई/मापन कारक

आंतरिक गेट क्षमता

जाओ एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की चौड़ाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की चौड़ाई = चैनल की चौड़ाई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद जंक्शन गहराई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद जंक्शन की गहराई = जंक्शन गहराई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की लंबाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की लंबाई = चैनल की लंबाई/मापन कारक

मॉसफेट में गतिशीलता

जाओ MOSFET में गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साइड परत की धारिता

के-प्राइम

जाओ के प्राइम = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई सूत्र

लघु चैनल दहलीज वोल्टेज = जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज-शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी
V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई की गणना कैसे करें?

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज (V_T0), शून्य बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज को MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जब सब्सट्रेट शून्य क्षमता पर होता है। के रूप में & शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी (ΔV_T0), शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज रिडक्शन को शॉर्ट चैनल प्रभाव के कारण MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई गणना

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई कैलकुलेटर, लघु चैनल दहलीज वोल्टेज की गणना करने के लिए Short Channel Threshold Voltage = जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज-शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी का उपयोग करता है। शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई V_{T0(short channel)} को शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला को स्केलिंग द्वारा MOSFET के आयामों में कमी के बाद आवश्यक गेट वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.395 = 0.855-0.46. आप और अधिक शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई क्या है?

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला को स्केलिंग द्वारा MOSFET के आयामों में कमी के बाद आवश्यक गेट वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0 या Short Channel Threshold Voltage = जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज-शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के रूप में दर्शाया जाता है।

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई की गणना कैसे करें?

शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई को शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला को स्केलिंग द्वारा MOSFET के आयामों में कमी के बाद आवश्यक गेट वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। Short Channel Threshold Voltage = जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज-शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी V_{T0(short channel)} = V_T0-ΔV_T0 के रूप में परिभाषित किया गया है। शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीएलएसआई की गणना करने के लिए, आपको जीरो बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज (V_T0) & शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी (ΔV_T0) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको शून्य बॉडी बायस थ्रेशोल्ड वोल्टेज को MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जब सब्सट्रेट शून्य क्षमता पर होता है। & शॉर्ट चैनल थ्रेशोल्ड वोल्टेज रिडक्शन को शॉर्ट चैनल प्रभाव के कारण MOSFET के थ्रेशोल्ड वोल्टेज में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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