Concentrazione del drogante accettore calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Trigger di Schmitt

✖La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Lunghezza del transistor [L_t]			+10% -10%
✖La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Larghezza del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La mobilità dei fori rappresenta la capacità di questi portatori di carica di muoversi in risposta a un campo elettrico.ⓘ Mobilità dei fori [μ_p]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di svuotamento per unità di area è la capacità dello strato di svuotamento per unità di area.ⓘ Capacità dello strato di esaurimento [C_dep]			+10% -10%

✖La concentrazione del drogante dell'accettore è la mobilità dei portatori di carica (fori in questo caso) e le dimensioni del dispositivo a semiconduttore.ⓘ Concentrazione del drogante accettore [N_a]

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Formula

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Concentrazione del drogante accettore

Formula

`"N"_{"a"} = 1/(2*pi*"L"_{"t"}*"W"_{"t"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"}*"C"_{"dep"})`

Esempio

`"1E^32electrons/m³"=1/(2*pi*"3.2μm"*"5.5μm"*"[Charge-e]"*"400m²/V*s"*"1.4μF")`

Calcolatrice

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Concentrazione del drogante accettore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Questa formula utilizza 2 Costanti, 5 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Concentrazione del drogante accettore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione del drogante dell'accettore è la mobilità dei portatori di carica (fori in questo caso) e le dimensioni del dispositivo a semiconduttore.
Lunghezza del transistor - (Misurato in metro) - La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Larghezza del transistor - (Misurato in metro) - La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Mobilità dei fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dei fori rappresenta la capacità di questi portatori di carica di muoversi in risposta a un campo elettrico.
Capacità dello strato di esaurimento - (Misurato in Farad) - La capacità dello strato di svuotamento per unità di area è la capacità dello strato di svuotamento per unità di area.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Lunghezza del transistor: 3.2 Micrometro --> 3.2E-06 metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza del transistor: 5.5 Micrometro --> 5.5E-06 metro (Controlla la conversione qui)
Mobilità dei fori: 400 Metro quadrato per Volt al secondo --> 400 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità dello strato di esaurimento: 1.4 Microfarad --> 1.4E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Valutare ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.00788050957133E+32 Elettroni per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Elettroni per metro cubo <-- Concentrazione del drogante accettore

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Tensione del punto di commutazione

Partire Tensione del punto di commutazione = (Tensione di alimentazione+Tensione di soglia PMOS+Tensione di soglia NMOS*sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))/(1+sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))

Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Concentrazione del drogante del donatore

Partire Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione del drogante accettore

Partire Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione massima di drogante

Partire Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi

Partire Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità elettronica*Intensità del campo elettrico

Tempo di propagazione

Partire Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Partire Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco

Partire Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)

Dimensione critica

Partire Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica

Muori per wafer

Partire Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)

Spessore equivalente dell'ossido

Partire Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)

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