Frequenza di guadagno unitario MOSFET calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS

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Trigger di Schmitt

✖La transconduttanza nel MOSFET è un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita.ⓘ Transconduttanza nei MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Capacità della sorgente di gate [C_gs]			+10% -10%
✖La capacità di drenaggio del gate si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e di drenaggio del dispositivo.ⓘ Capacità di scarico del cancello [C_gd]			+10% -10%

✖La frequenza di guadagno unitario nel MOSFET si riferisce alla frequenza alla quale il guadagno di tensione del dispositivo scende a 1 (0 dB) in una configurazione a sorgente comune con un carico resistivo.ⓘ Frequenza di guadagno unitario MOSFET [f_t]

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Formula

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Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Formula

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Esempio

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

Calcolatrice

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Frequenza di guadagno unitario MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET - (Misurato in Hertz) - La frequenza di guadagno unitario nel MOSFET si riferisce alla frequenza alla quale il guadagno di tensione del dispositivo scende a 1 (0 dB) in una configurazione a sorgente comune con un carico resistivo.
Transconduttanza nei MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza nel MOSFET è un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita.
Capacità della sorgente di gate - (Misurato in Farad) - La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
Capacità di scarico del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di drenaggio del gate si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e di drenaggio del dispositivo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza nei MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nessuna conversione richiesta
Capacità della sorgente di gate: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di scarico del cancello: 2.8 Microfarad --> 2.8E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Valutare ... ...

f_t = 37414.9659863946

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohertz <-- Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Tensione del punto di commutazione

Partire Tensione del punto di commutazione = (Tensione di alimentazione+Tensione di soglia PMOS+Tensione di soglia NMOS*sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))/(1+sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))

Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Concentrazione del drogante del donatore

Partire Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione del drogante accettore

Partire Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione massima di drogante

Partire Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi

Partire Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità elettronica*Intensità del campo elettrico

Tempo di propagazione

Partire Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Partire Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco

Partire Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)

Dimensione critica

Partire Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica

Muori per wafer

Partire Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)

Spessore equivalente dell'ossido

Partire Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET Formula

Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

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