Concentração de dopante aceitante Calculadora

↳

Eletrônicos

Ciência de materiais

Civil

Elétrico

Eletrônica e Instrumentação

Engenharia de Produção

Engenheiro químico

Mecânico

⤿

Fabricação de IC MOS

Fabricação de CI bipolar

Gatilho Schmitt

✖O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Comprimento do transistor [L_t]			+10% -10%
✖A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Largura do transistor [W_t]			+10% -10%
✖A Mobilidade do Buraco representa a capacidade desses portadores de carga de se moverem em resposta a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Buraco [μ_p]			+10% -10%
✖A capacitância da camada de esgotamento por unidade de área é a capacitância da camada de esgotamento por unidade de área.ⓘ Capacitância da camada de esgotamento [C_dep]			+10% -10%

✖A concentração de dopante do aceitador é a mobilidade dos portadores de carga (buracos, neste caso) e as dimensões do dispositivo semicondutor.ⓘ Concentração de dopante aceitante [N_a]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Concentração de dopante aceitante

Fórmula

`"N"_{"a"} = 1/(2*pi*"L"_{"t"}*"W"_{"t"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"}*"C"_{"dep"})`

Exemplo

`"1E^32electrons/m³"=1/(2*pi*"3.2μm"*"5.5μm"*"[Charge-e]"*"400m²/V*s"*"1.4μF")`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Fabricação de IC MOS Fórmulas PDF PDF Image

Concentração de dopante aceitante Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 5 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variáveis Usadas

Concentração de dopante aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopante do aceitador é a mobilidade dos portadores de carga (buracos, neste caso) e as dimensões do dispositivo semicondutor.
Comprimento do transistor - (Medido em Metro) - O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Largura do transistor - (Medido em Metro) - A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Mobilidade do Buraco - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A Mobilidade do Buraco representa a capacidade desses portadores de carga de se moverem em resposta a um campo elétrico.
Capacitância da camada de esgotamento - (Medido em Farad) - A capacitância da camada de esgotamento por unidade de área é a capacitância da camada de esgotamento por unidade de área.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento do transistor: 3.2 Micrômetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura do transistor: 5.5 Micrômetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade do Buraco: 400 Metro quadrado por volt por segundo --> 400 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância da camada de esgotamento: 1.4 Microfarad --> 1.4E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Avaliando ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.00788050957133E+32 Elétrons por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Elétrons por metro cúbico <-- Concentração de dopante aceitante

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Circuitos Integrados (CI) » Fabricação de IC MOS » Concentração de dopante aceitante

Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Concentração de dopante aceitante Fórmula

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!