Concentratie van acceptordoteringsmiddel Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.ⓘ Lengte van de transistor [L_t]			+10% -10%
✖Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.ⓘ Transistorbreedte [W_t]			+10% -10%
✖Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.ⓘ Gatenmobiliteit [μ_p]			+10% -10%
✖De capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid is de capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid.ⓘ Capaciteit van de uitputtingslaag [C_dep]			+10% -10%

✖Acceptor Doteringsconcentratie is de mobiliteit van ladingsdragers (in dit geval gaten) en de afmetingen van het halfgeleiderapparaat.ⓘ Concentratie van acceptordoteringsmiddel [N_a]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Formule

`"N"_{"a"} = 1/(2*pi*"L"_{"t"}*"W"_{"t"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"}*"C"_{"dep"})`

Voorbeeld

`"1E^32electrons/m³"=1/(2*pi*"3.2μm"*"5.5μm"*"[Charge-e]"*"400m²/V*s"*"1.4μF")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)
N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Concentratie van acceptordoteringsmiddel - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Acceptor Doteringsconcentratie is de mobiliteit van ladingsdragers (in dit geval gaten) en de afmetingen van het halfgeleiderapparaat.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Gatenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Capaciteit van de uitputtingslaag - (Gemeten in Farad) - De capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid is de capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Gatenmobiliteit: 400 Vierkante meter per volt per seconde --> 400 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Capaciteit van de uitputtingslaag: 1.4 Microfarad --> 1.4E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_a = 1/(2*pi*L_t*W_t*[Charge-e]*μ_p*C_dep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)

Evalueren ... ...

N_a = 1.00788050957133E+32

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.00788050957133E+32 Elektronen per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.00788050957133E+32 ≈ 1E+32 Elektronen per kubieke meter <-- Concentratie van acceptordoteringsmiddel

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!