Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione calcolatrice

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain si riferisce alla corrente che scorre tra i terminali di drain e source del transistor quando è in funzione.
Parametro di transconduttanza - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza è definito come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso di un dispositivo.
Tensione della sorgente di gate - (Misurato in Volt) - La tensione di gate source si riferisce alla differenza di potenziale tra il terminale di gate e il terminale di source del dispositivo. Questa tensione gioca un ruolo cruciale nel controllo della conduttività del MOSFET.
Tensione di soglia con zero body bias - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia con polarizzazione corpo zero si riferisce alla tensione di soglia quando non è applicata alcuna polarizzazione esterna al substrato semiconduttore (terminale body).
Fattore di modulazione della lunghezza del canale - Fattore di modulazione della lunghezza del canale in cui la lunghezza effettiva del canale aumenta con un aumento della tensione drain-to-source.
Tensione della sorgente di drenaggio - (Misurato in Volt) - La tensione della sorgente di drenaggio è la tensione tra il terminale di drain e quello di source.

(Calcolo completato in 00.020 secondi)