Capacité de cellule Calculatrice

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Sous-système de chemin de données de tableau

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Mesures de puissance CMOS

Onduleurs CMOS

Sous-système CMOS à usage spécial

✖La capacité du bit est la capacité d'un bit en cmos vlsi.ⓘ Capacité des bits [C_bit]			+10% -10%
✖L'oscillation de tension sur Bitline est définie comme une architecture SRAM bitline locale à oscillation complète, basée sur la technologie FinFET 22 nm pour un fonctionnement basse tension.ⓘ Variation de tension sur Bitline [ΔV]			+10% -10%
✖La tension positive est définie comme la tension calculée lorsque le circuit est connecté à l'alimentation. Elle est généralement appelée Vdd ou alimentation du circuit.ⓘ Tension positive [V_dd]			+10% -10%

✖La capacité cellulaire est la capacité d’une cellule individuelle.ⓘ Capacité de cellule [C_cell]

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Formule

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Capacité de cellule

Formule

`"C"_{"cell"} = ("C"_{"bit"}*2*"ΔV")/("V"_{"dd"}-("ΔV"*2)) `

Exemple

`"5.976552pF"=("12.38pF"*2*"0.42V")/("2.58V"-("0.42V"*2)) `

Calculatrice

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Capacité de cellule Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité cellulaire = (Capacité des bits*2*Variation de tension sur Bitline)/(Tension positive-(Variation de tension sur Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité cellulaire - (Mesuré en Farad) - La capacité cellulaire est la capacité d’une cellule individuelle.
Capacité des bits - (Mesuré en Farad) - La capacité du bit est la capacité d'un bit en cmos vlsi.
Variation de tension sur Bitline - (Mesuré en Volt) - L'oscillation de tension sur Bitline est définie comme une architecture SRAM bitline locale à oscillation complète, basée sur la technologie FinFET 22 nm pour un fonctionnement basse tension.
Tension positive - (Mesuré en Volt) - La tension positive est définie comme la tension calculée lorsque le circuit est connecté à l'alimentation. Elle est généralement appelée Vdd ou alimentation du circuit.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité des bits: 12.38 picofarad --> 1.238E-11 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Variation de tension sur Bitline: 0.42 Volt --> 0.42 Volt Aucune conversion requise
Tension positive: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))

Évaluer ... ...

C_cell = 5.97655172413793E-12

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.97655172413793E-12 Farad -->5.97655172413793 picofarad (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

5.97655172413793 ≈ 5.976552 picofarad <-- Capacité cellulaire

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 19 Sous-système de chemin de données de tableau Calculatrices

Retard du multiplexeur

Aller Retard du multiplexeur = (Délai de l'additionneur de saut de retenue-(Délai de propagation+(2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU)-Délai XOR))/(Entrée K ET Porte-1)

Délai d'additionneur de report

Aller Délai de l'additionneur de saut de retenue = Délai de propagation+2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU+(Entrée K ET Porte-1)*Retard du multiplexeur+Délai XOR

Délai d'additionneur de portage

Aller Délai d'additionneur de portage = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+((Porte ET à entrée N-1)+(Entrée K ET Porte-1))*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Délai d'additionneur d'augmentation de report

Aller Délai de l'additionneur d'incrément de report = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+(Entrée K ET Porte-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Retard critique dans les portes

Aller Retard critique dans les portes = Délai de propagation+(Porte ET à entrée N+(Entrée K ET Porte-2))*Délai de porte ET-OU+Retard du multiplexeur

Délai de propagation de groupe

Aller Délai de propagation = Délai de l'additionneur d'arbre-(log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR)

Délai d'additionneur d'arbre

Aller Délai de l'additionneur d'arbre = Délai de propagation+log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Capacité de cellule

Aller Capacité cellulaire = (Capacité des bits*2*Variation de tension sur Bitline)/(Tension positive-(Variation de tension sur Bitline*2))

Capacité de bit

Aller Capacité des bits = ((Tension positive*Capacité cellulaire)/(2*Variation de tension sur Bitline))-Capacité cellulaire

Variation de tension sur Bitline

Aller Variation de tension sur Bitline = (Tension positive/2)*Capacité cellulaire/(Capacité cellulaire+Capacité des bits)

Délai « XOR »

Aller Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)

Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation

Aller Temps d'ondulation = Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR

Capacité au sol

Aller Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente

Zone de mémoire contenant N bits

Aller Zone de cellule mémoire = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Efficacité de la baie

Zone de cellule mémoire

Aller Zone d'une cellule mémoire d'un bit = (Efficacité de la baie*Zone de cellule mémoire)/Fréquence absolue

Efficacité de la baie

Aller Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire

Porte 'Et' d'entrée N

Aller Porte ET à entrée N = Additionneur de sauts de transport N-bits/Entrée K ET Porte

N-Bit Carry-Skip Adder

Aller Additionneur de sauts de transport N-bits = Porte ET à entrée N*Entrée K ET Porte

Porte 'Et' d'entrée K

Aller Entrée K ET Porte = Additionneur de sauts de transport N-bits/Porte ET à entrée N

Capacité de cellule Formule

Capacité cellulaire = (Capacité des bits*2*Variation de tension sur Bitline)/(Tension positive-(Variation de tension sur Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))

Comment les différentes capacités varient-elles dans la RAM dynamique ou la DRAM ?

Le condensateur DRAM Ccell doit être physiquement aussi petit que possible pour obtenir une bonne densité. Cependant, la ligne de bits est en contact avec de nombreuses cellules DRAM et a une capacité Cbit relativement grande. Par conséquent, la capacité de la cellule est généralement beaucoup plus petite que la capacité de la ligne de bits. une grande capacité de cellule est importante pour fournir une variation de tension raisonnable. Il est également nécessaire de conserver le contenu de la cellule pendant une durée suffisamment longue et de minimiser les erreurs logicielles.

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