Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall calcolatrice

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Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Caratteristiche del portatore di carica

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖La tensione di Hall afferma che se un metallo o un semiconduttore trasporta una corrente I che si trova nel campo magnetico trasversale B, viene indotto un campo elettrico in una direzione perpendicolare sia a I che a B.ⓘ Tensione di sala [V_h]			+10% -10%
✖La larghezza del conduttore è definita come la larghezza del conduttore perpendicolare sia alla direzione della corrente che alla direzione del campo magnetico.ⓘ Larghezza del conduttore [d]			+10% -10%

✖Fenomeno del campo elettrico di Hall che si verifica in un conduttore quando una corrente lo attraversa in presenza di un campo magnetico perpendicolare.ⓘ Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall [E_H]

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Formula

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Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall

Formula

`"E"_{"H"} = "V"_{"h"}/"d"`

Esempio

`"1.888889V/m"="0.85V"/"0.45m"`

Calcolatrice

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Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore
E_H = V_h/d
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Campo elettrico di Hall - (Misurato in Volt per metro) - Fenomeno del campo elettrico di Hall che si verifica in un conduttore quando una corrente lo attraversa in presenza di un campo magnetico perpendicolare.
Tensione di sala - (Misurato in Volt) - La tensione di Hall afferma che se un metallo o un semiconduttore trasporta una corrente I che si trova nel campo magnetico trasversale B, viene indotto un campo elettrico in una direzione perpendicolare sia a I che a B.
Larghezza del conduttore - (Misurato in metro) - La larghezza del conduttore è definita come la larghezza del conduttore perpendicolare sia alla direzione della corrente che alla direzione del campo magnetico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di sala: 0.85 Volt --> 0.85 Volt Nessuna conversione richiesta
Larghezza del conduttore: 0.45 metro --> 0.45 metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

E_H = V_h/d --> 0.85/0.45

Valutare ... ...

E_H = 1.88888888888889

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.88888888888889 Volt per metro --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.88888888888889 ≈ 1.888889 Volt per metro <-- Campo elettrico di Hall

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori

Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)

Funzione di distribuzione di Fermi Dirac

Partire Funzione di distribuzione di Fermi Dirac = 1/(1+e^((Energia del livello di Fermi-Energia del livello di Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori

Lunghezza di diffusione elettronica

Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)

Gap di banda energetica

Partire Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)

Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2

Densità di corrente di deriva

Partire Densità di corrente di deriva = Densità di corrente dei fori+Densità di corrente elettronica

Mobilità dei vettori di carica

Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Tensione di saturazione utilizzando la tensione di soglia

Partire Tensione di saturazione = Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio

Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall

Partire Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore

Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall Formula

Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore
E_H = V_h/d

Cos'è il campo elettrico di Hall?

Quando un conduttore percorso da corrente è posto in un campo magnetico perpendicolare alla direzione della corrente, le cariche all'interno del conduttore subiscono una forza dovuta al campo magnetico. Questa forza fa sì che le cariche si accumulino su un lato del conduttore, creando un campo elettrico perpendicolare sia alla direzione della corrente che alla direzione del campo magnetico. Questo campo elettrico è noto come campo elettrico di Hall.

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