Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci calcolatrice

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Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Caratteristiche del portatore di carica

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖Conduction Band Energy è la banda di energia in un materiale in cui gli elettroni sono liberi di muoversi e partecipare alla conduzione elettrica.ⓘ Energia della banda di conduzione [E_c]			+10% -10%
✖L'energia della banda di Valance è una delle bande di energia che gli elettroni possono occupare all'interno della struttura elettronica di un materiale.ⓘ Energia della banda di mantovana [E_v]			+10% -10%

✖Fermi Level Intrinsic Semiconductor si riferisce al livello di energia all'interno del band gap del materiale che ha un significato speciale nel contesto del comportamento elettronico.ⓘ Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci [E_Fi]

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Formula

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Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

Formula

`"E"_{"Fi"} = ("E"_{"c"}+"E"_{"v"})/2`

Esempio

`"2.63eV"=("0.56eV"+"4.7eV")/2`

Calcolatrice

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Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Semiconduttore intrinseco di livello Fermi - (Misurato in Joule) - Fermi Level Intrinsic Semiconductor si riferisce al livello di energia all'interno del band gap del materiale che ha un significato speciale nel contesto del comportamento elettronico.
Energia della banda di conduzione - (Misurato in Joule) - Conduction Band Energy è la banda di energia in un materiale in cui gli elettroni sono liberi di muoversi e partecipare alla conduzione elettrica.
Energia della banda di mantovana - (Misurato in Joule) - L'energia della banda di Valance è una delle bande di energia che gli elettroni possono occupare all'interno della struttura elettronica di un materiale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Energia della banda di conduzione: 0.56 Electron-Volt --> 8.97219304800004E-20 Joule (Controlla la conversione qui)
Energia della banda di mantovana: 4.7 Electron-Volt --> 7.53023345100003E-19 Joule (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

E_Fi = (E_c+E_v)/2 --> (8.97219304800004E-20+7.53023345100003E-19)/2

Valutare ... ...

E_Fi = 4.21372637790002E-19

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

4.21372637790002E-19 Joule -->2.63 Electron-Volt (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

2.63 Electron-Volt <-- Semiconduttore intrinseco di livello Fermi

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Himanshi Sharma

Istituto di tecnologia Bhilai (PO), Raipur

Himanshi Sharma ha verificato questa calcolatrice e altre 800+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori

Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)

Funzione di distribuzione di Fermi Dirac

Partire Funzione di distribuzione di Fermi Dirac = 1/(1+e^((Energia del livello di Fermi-Energia del livello di Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori

Lunghezza di diffusione elettronica

Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)

Gap di banda energetica

Partire Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)

Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2

Densità di corrente di deriva

Partire Densità di corrente di deriva = Densità di corrente dei fori+Densità di corrente elettronica

Mobilità dei vettori di carica

Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Tensione di saturazione utilizzando la tensione di soglia

Partire Tensione di saturazione = Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio

Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall

Partire Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci Formula

Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2

In che modo la temperatura influisce sul gap di banda?

L'energia del gap di banda dei semiconduttori tende a diminuire con l'aumentare della temperatura. Quando la temperatura aumenta, l'ampiezza delle vibrazioni atomiche aumenta, portando a una maggiore spaziatura interatomica.

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