Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Hall-spanning stelt dat als een metaal of een halfgeleider een stroom I voert die in het transversale magnetische veld B wordt geplaatst, een elektrisch veld wordt geïnduceerd in een richting loodrecht op zowel I als B.ⓘ Zaal spanning [V_h]			+10% -10%
✖Geleiderbreedte wordt gedefinieerd als de breedte van de geleider loodrecht op zowel de stroomrichting als de richting van het magnetische veld.ⓘ Dirigent Breedte [d]			+10% -10%

✖Hall Electric Field-fenomeen dat optreedt in een geleider wanneer er een stroom doorheen stroomt in de aanwezigheid van een loodrecht magnetisch veld.ⓘ Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning [E_H]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Formule

`"E"_{"H"} = "V"_{"h"}/"d"`

Voorbeeld

`"1.888889V/m"="0.85V"/"0.45m"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte
E_H = V_h/d
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Zaal elektrisch veld - (Gemeten in Volt per meter) - Hall Electric Field-fenomeen dat optreedt in een geleider wanneer er een stroom doorheen stroomt in de aanwezigheid van een loodrecht magnetisch veld.
Zaal spanning - (Gemeten in Volt) - Hall-spanning stelt dat als een metaal of een halfgeleider een stroom I voert die in het transversale magnetische veld B wordt geplaatst, een elektrisch veld wordt geïnduceerd in een richting loodrecht op zowel I als B.
Dirigent Breedte - (Gemeten in Meter) - Geleiderbreedte wordt gedefinieerd als de breedte van de geleider loodrecht op zowel de stroomrichting als de richting van het magnetische veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Zaal spanning: 0.85 Volt --> 0.85 Volt Geen conversie vereist
Dirigent Breedte: 0.45 Meter --> 0.45 Meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_H = V_h/d --> 0.85/0.45

Evalueren ... ...

E_H = 1.88888888888889

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.88888888888889 Volt per meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.88888888888889 ≈ 1.888889 Volt per meter <-- Zaal elektrisch veld

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning Formule

Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte
E_H = V_h/d

Wat is Hall Electric Field?

Wanneer een stroomvoerende geleider in een magnetisch veld wordt geplaatst dat loodrecht op de stroomrichting staat, ervaren de ladingen in de geleider een kracht als gevolg van het magnetische veld. Deze kracht zorgt ervoor dat de ladingen zich ophopen aan één kant van de geleider, waardoor een elektrisch veld ontstaat loodrecht op zowel de stroomrichting als de richting van het magnetische veld. Dit elektrische veld is wat bekend staat als het Hall-elektrische veld.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!