Lunghezza di diffusione elettronica calcolatrice

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Caratteristiche dei semiconduttori

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Caratteristiche del portatore di carica

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖La costante di diffusione degli elettroni si riferisce a una proprietà del materiale che descrive la velocità con cui gli elettroni si diffondono attraverso il materiale in risposta a un gradiente di concentrazione.ⓘ Costante di diffusione elettronica [D_n]			+10% -10%
✖Minority Carrier Lifetime viene utilizzato per determinare la lunghezza di diffusione degli elettroni.ⓘ Portatore di minoranza a vita [τ_n]			+10% -10%

✖La lunghezza di diffusione dell'elettrone è correlata alla durata del vettore dalla diffusività.ⓘ Lunghezza di diffusione elettronica [L_n]

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Formula

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Lunghezza di diffusione elettronica

Formula

`"L"_{"n"} = sqrt("D"_{"n"}*"τ"_{"n"})`

Esempio

`"44.99123cm"=sqrt("44982.46cm²/s"*"45000μs")`

Calcolatrice

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Lunghezza di diffusione elettronica Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Lunghezza di diffusione elettronica - (Misurato in metro) - La lunghezza di diffusione dell'elettrone è correlata alla durata del vettore dalla diffusività.
Costante di diffusione elettronica - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La costante di diffusione degli elettroni si riferisce a una proprietà del materiale che descrive la velocità con cui gli elettroni si diffondono attraverso il materiale in risposta a un gradiente di concentrazione.
Portatore di minoranza a vita - (Misurato in Secondo) - Minority Carrier Lifetime viene utilizzato per determinare la lunghezza di diffusione degli elettroni.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Costante di diffusione elettronica: 44982.46 Centimetro quadrato al secondo --> 4.498246 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione qui)
Portatore di minoranza a vita: 45000 Microsecondo --> 0.045 Secondo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

L_n = sqrt(D_n*τ_n) --> sqrt(4.498246*0.045)

Valutare ... ...

L_n = 0.449912291452456

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.449912291452456 metro -->44.9912291452456 Centimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

44.9912291452456 ≈ 44.99123 Centimetro <-- Lunghezza di diffusione elettronica

(Calcolo completato in 00.007 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori

Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)

Funzione di distribuzione di Fermi Dirac

Partire Funzione di distribuzione di Fermi Dirac = 1/(1+e^((Energia del livello di Fermi-Energia del livello di Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori

Lunghezza di diffusione elettronica

Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)

Gap di banda energetica

Partire Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)

Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2

Densità di corrente di deriva

Partire Densità di corrente di deriva = Densità di corrente dei fori+Densità di corrente elettronica

Mobilità dei vettori di carica

Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Tensione di saturazione utilizzando la tensione di soglia

Partire Tensione di saturazione = Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio

Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall

Partire Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore

Lunghezza di diffusione elettronica Formula

Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)

Qual è la lunghezza di diffusione degli elettroni?

La lunghezza di diffusione è la lunghezza media che un portatore si muove tra la generazione e la ricombinazione. I materiali semiconduttori fortemente drogati hanno velocità di ricombinazione maggiori e, di conseguenza, hanno lunghezze di diffusione inferiori. Lunghezze di diffusione maggiori sono indicative di materiali con una durata maggiore e sono, quindi, una qualità importante da considerare con i materiali semiconduttori.

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