Coefficiente di distribuzione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
kd = Csolid/CL
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Coefficiente di distribuzione - Il coefficiente di distribuzione è la concentrazione di soluto in due diversi tipi di solventi.
Concentrazione di impurità nel solido - (Misurato in 1 al metro) - La concentrazione di impurità nel solido è la quantità di impurità aggiunta per eseguire il drogaggio nella sostanza solida.
Concentrazione di impurità nel liquido - (Misurato in 1 al metro) - La concentrazione di impurità nel liquido si riferisce alla concentrazione dell'impurità aggiunta nel liquido per il doping.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione di impurità nel solido: 1.01E+15 1 / Centimetro --> 1.01E+17 1 al metro (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di impurità nel liquido: 2.5E+15 1 / Centimetro --> 2.5E+17 1 al metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
kd = Csolid/CL --> 1.01E+17/2.5E+17
Valutare ... ...
kd = 0.404
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.404 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.404 <-- Coefficiente di distribuzione
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca
​ Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))
Concentrazione di elettroni in stato stazionario
​ Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori
Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb
​ Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Concentrazione in banda di conduzione
​ Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi
Densità effettiva di stato
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi
Funzione di Fermi
​ Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione
Concentrazione dei buchi nella banda di valenza
​ Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
Ricombinazione a vita
​ Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1
Coefficiente di distribuzione
​ Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
Concentrazione liquida
​ Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione
Tasso netto di variazione della banda di conduzione
​ Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)
Tasso di generazione termica
​ Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)
Eccessiva concentrazione del vettore
​ Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
Velocità di generazione ottica
​ Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita
Energia della banda di conduzione
​ Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza
Energia della banda di valenza
​ Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico
Divario energetico
​ Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza
Energia fotoelettronica
​ Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

15 Porta semiconduttori Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca
​ Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))
Densità del flusso di elettroni
​ Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni
Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone
​ Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)
Stato quantico
​ Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Funzione di Fermi
​ Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione
Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
Coefficiente di distribuzione
​ Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
Densità della corrente elettronica
​ Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro
Densità di corrente del foro
​ Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica
Moltiplicazione di elettroni
​ Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione
Tempo medio speso per buca
​ Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario
Eccessiva concentrazione del vettore
​ Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
Energia della banda di conduzione
​ Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza
Energia fotoelettronica
​ Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Coefficiente di distribuzione Formula

Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
kd = Csolid/CL

Come si trova il coefficiente di distribuzione?

Il rapporto delle solubilità nei due solventi è chiamato coefficiente di distribuzione, KD = C1/C2, che è una costante di equilibrio con un valore caratteristico per qualsiasi composto a una data temperatura. La quantità totale estratta da 100 ml come porzioni di 2 x 50 ml di etere è quindi 0,92 g.

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