Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Id = β/2*(Vgs-Vth)^2*(1+λi*Vds)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.
Transconductantieparameter - (Gemeten in Siemens) - Transconductantieparameter wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in de uitgangsstroom en de verandering in de ingangsspanning van een apparaat.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate Source Voltage verwijst naar het potentiaalverschil tussen de gate-terminal en de source-terminal van het apparaat. Deze spanning speelt een cruciale rol bij het regelen van de geleidbaarheid van de MOSFET.
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning met nullichaamsbias verwijst naar de drempelspanning wanneer er geen externe voorspanning wordt toegepast op het halfgeleidersubstraat (lichaamsaansluiting).
Modulatiefactor kanaallengte - Kanaallengtemodulatiefactor waarbij de effectieve kanaallengte toeneemt met een toename van de drain-to-source-spanning.
Afvoerbronspanning - (Gemeten in Volt) - Drain Source-spanning is de spanning over de drain- en source-aansluiting.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Transconductantieparameter: 0.0025 Siemens --> 0.0025 Siemens Geen conversie vereist
Poortbronspanning: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Geen conversie vereist
Modulatiefactor kanaallengte: 9 --> Geen conversie vereist
Afvoerbronspanning: 1.24 Volt --> 1.24 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Id = β/2*(Vgs-Vth)^2*(1+λi*Vds) --> 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24)
Evalueren ... ...
Id = 0.013718
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.013718 Ampère --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.013718 Ampère <-- Afvoerstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Banu Prakash LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Kanaal weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
​ LaTeX ​ Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied Formule

​LaTeX ​Gaan
Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Id = β/2*(Vgs-Vth)^2*(1+λi*Vds)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!