Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Transconductantieparameter wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in de uitgangsstroom en de verandering in de ingangsspanning van een apparaat.ⓘ Transconductantieparameter [β]			+10% -10%
✖Gate Source Voltage verwijst naar het potentiaalverschil tussen de gate-terminal en de source-terminal van het apparaat. Deze spanning speelt een cruciale rol bij het regelen van de geleidbaarheid van de MOSFET.ⓘ Poortbronspanning [V_gs]			+10% -10%
✖Drempelspanning met nullichaamsbias verwijst naar de drempelspanning wanneer er geen externe voorspanning wordt toegepast op het halfgeleidersubstraat (lichaamsaansluiting).ⓘ Drempelspanning zonder lichaamsafwijking [V_th]			+10% -10%
✖Kanaallengtemodulatiefactor waarbij de effectieve kanaallengte toeneemt met een toename van de drain-to-source-spanning.ⓘ Modulatiefactor kanaallengte [λ_i]			+10% -10%
✖Drain Source-spanning is de spanning over de drain- en source-aansluiting.ⓘ Afvoerbronspanning [V_ds]			+10% -10%

✖Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.ⓘ Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied [I_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Formule

`"I"_{"d"} = "β"/2*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})^2*(1+"λ"_{"i"}*"V"_{"ds"})`

Voorbeeld

`"0.013718A"="0.0025S"/2*("2.45V"-"3.4V")^2*(1+"9"*"1.24V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.
Transconductantieparameter - (Gemeten in Siemens) - Transconductantieparameter wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in de uitgangsstroom en de verandering in de ingangsspanning van een apparaat.
Poortbronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate Source Voltage verwijst naar het potentiaalverschil tussen de gate-terminal en de source-terminal van het apparaat. Deze spanning speelt een cruciale rol bij het regelen van de geleidbaarheid van de MOSFET.
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning met nullichaamsbias verwijst naar de drempelspanning wanneer er geen externe voorspanning wordt toegepast op het halfgeleidersubstraat (lichaamsaansluiting).
Modulatiefactor kanaallengte - Kanaallengtemodulatiefactor waarbij de effectieve kanaallengte toeneemt met een toename van de drain-to-source-spanning.
Afvoerbronspanning - (Gemeten in Volt) - Drain Source-spanning is de spanning over de drain- en source-aansluiting.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantieparameter: 0.0025 Siemens --> 0.0025 Siemens Geen conversie vereist
Poortbronspanning: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Geen conversie vereist
Modulatiefactor kanaallengte: 9 --> Geen conversie vereist
Afvoerbronspanning: 1.24 Volt --> 1.24 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds) --> 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24)

Evalueren ... ...

I_d = 0.013718

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.013718 Ampère --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.013718 Ampère <-- Afvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied Formule

Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!