Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich Taschenrechner

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✖Der Transkonduktanzparameter ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung eines Geräts.ⓘ Transkonduktanzparameter [β]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die Potenzialdifferenz zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des Geräts. Diese Spannung spielt eine entscheidende Rolle bei der Steuerung der Leitfähigkeit des MOSFET.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung mit Zero Body Bias bezieht sich auf die Schwellenspannung, wenn keine externe Vorspannung an das Halbleitersubstrat (Body-Anschluss) angelegt wird.ⓘ Schwellenspannung mit Zero Body Bias [V_th]			+10% -10%
✖Kanallängenmodulationsfaktor, bei dem die effektive Kanallänge mit zunehmender Drain-Source-Spannung zunimmt.ⓘ Modulationsfaktor der Kanallänge [λ_i]			+10% -10%
✖Die Drain-Source-Spannung ist die Spannung zwischen Drain- und Source-Anschluss.ⓘ Drain-Quellenspannung [V_ds]			+10% -10%

✖Der Drainstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des Transistors fließt.ⓘ Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich [I_d]

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Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drainstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des Transistors fließt.
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Siemens) - Der Transkonduktanzparameter ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung eines Geräts.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die Potenzialdifferenz zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des Geräts. Diese Spannung spielt eine entscheidende Rolle bei der Steuerung der Leitfähigkeit des MOSFET.
Schwellenspannung mit Zero Body Bias - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung mit Zero Body Bias bezieht sich auf die Schwellenspannung, wenn keine externe Vorspannung an das Halbleitersubstrat (Body-Anschluss) angelegt wird.
Modulationsfaktor der Kanallänge - Kanallängenmodulationsfaktor, bei dem die effektive Kanallänge mit zunehmender Drain-Source-Spannung zunimmt.
Drain-Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung ist die Spannung zwischen Drain- und Source-Anschluss.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter: 0.0025 Siemens --> 0.0025 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Schwellenspannung mit Zero Body Bias: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Modulationsfaktor der Kanallänge: 9 --> Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Quellenspannung: 1.24 Volt --> 1.24 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds) --> 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24)

Auswerten ... ...

I_d = 0.013718

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.013718 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.013718 Ampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banu Prakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banu Prakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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