Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter Taschenrechner

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Halbleitereigenschaften

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Ladungsträgereigenschaften

✖Leitungsbandenergie ist das Energieband in einem Material, in dem sich die Elektronen frei bewegen und an der elektrischen Leitung teilnehmen können.ⓘ Leitungsbandenergie [E_c]			+10% -10%
✖Die Valance-Band-Energie ist eines der Energiebänder, die Elektronen innerhalb der elektronischen Struktur eines Materials besetzen können.ⓘ Volantband-Energie [E_v]			+10% -10%

✖Unter Fermi Level Intrinsic Semiconductor versteht man das Energieniveau innerhalb der Bandlücke des Materials, das im Zusammenhang mit elektronischem Verhalten eine besondere Bedeutung hat.ⓘ Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter [E_Fi]

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Formel

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Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Formel

`"E"_{"Fi"} = ("E"_{"c"}+"E"_{"v"})/2`

Beispiel

`"2.63eV"=("0.56eV"+"4.7eV")/2`

Taschenrechner

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Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter - (Gemessen in Joule) - Unter Fermi Level Intrinsic Semiconductor versteht man das Energieniveau innerhalb der Bandlücke des Materials, das im Zusammenhang mit elektronischem Verhalten eine besondere Bedeutung hat.
Leitungsbandenergie - (Gemessen in Joule) - Leitungsbandenergie ist das Energieband in einem Material, in dem sich die Elektronen frei bewegen und an der elektrischen Leitung teilnehmen können.
Volantband-Energie - (Gemessen in Joule) - Die Valance-Band-Energie ist eines der Energiebänder, die Elektronen innerhalb der elektronischen Struktur eines Materials besetzen können.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Leitungsbandenergie: 0.56 Elektronen Volt --> 8.97219304800004E-20 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Volantband-Energie: 4.7 Elektronen Volt --> 7.53023345100003E-19 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

E_Fi = (E_c+E_v)/2 --> (8.97219304800004E-20+7.53023345100003E-19)/2

Auswerten ... ...

E_Fi = 4.21372637790002E-19

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4.21372637790002E-19 Joule -->2.63 Elektronen Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.63 Elektronen Volt <-- Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Himanshi Sharma

Bhilai Institute of Technology (BISSCHEN), Raipur

Himanshi Sharma hat diesen Rechner und 800+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter Formel

Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2

Wie wirkt sich die Temperatur auf die Bandlücke aus?

Die Bandlückenenergie von Halbleitern nimmt tendenziell mit steigender Temperatur ab. Wenn die Temperatur ansteigt, nimmt die Amplitude der Atomschwingungen zu, was zu größeren Atomabständen führt.

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