Уровень Ферми собственных полупроводников Калькулятор

✖Энергия зоны проводимости — это энергетическая зона в материале, где электроны могут свободно двигаться и участвовать в электрической проводимости.ⓘ Энергия зоны проводимости [E_c]			+10% -10%
✖Энергия валентной зоны — это одна из энергетических зон, которую электроны могут занимать в электронной структуре материала.ⓘ Энергия полосы Валанса [E_v]			+10% -10%

✖Уровень Ферми, собственный полупроводник, относится к уровню энергии в пределах запрещенной зоны материала, который имеет особое значение в контексте электронного поведения.ⓘ Уровень Ферми собственных полупроводников [E_Fi]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Уровень Ферми собственных полупроводников

Формула

`"E"_{"Fi"} = ("E"_{"c"}+"E"_{"v"})/2`

Пример

`"2.63eV"=("0.56eV"+"4.7eV")/2`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Полупроводниковые характеристики Формулы PDF PDF Image

Уровень Ферми собственных полупроводников Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Внутренний полупроводник на уровне Ферми - (Измеряется в Джоуль) - Уровень Ферми, собственный полупроводник, относится к уровню энергии в пределах запрещенной зоны материала, который имеет особое значение в контексте электронного поведения.
Энергия зоны проводимости - (Измеряется в Джоуль) - Энергия зоны проводимости — это энергетическая зона в материале, где электроны могут свободно двигаться и участвовать в электрической проводимости.
Энергия полосы Валанса - (Измеряется в Джоуль) - Энергия валентной зоны — это одна из энергетических зон, которую электроны могут занимать в электронной структуре материала.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Энергия зоны проводимости: 0.56 Электрон-вольт --> 8.97219304800004E-20 Джоуль (Проверьте преобразование здесь)
Энергия полосы Валанса: 4.7 Электрон-вольт --> 7.53023345100003E-19 Джоуль (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

E_Fi = (E_c+E_v)/2 --> (8.97219304800004E-20+7.53023345100003E-19)/2

Оценка ... ...

E_Fi = 4.21372637790002E-19

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

4.21372637790002E-19 Джоуль -->2.63 Электрон-вольт (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.63 Электрон-вольт <-- Внутренний полупроводник на уровне Ферми

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » EDC » Полупроводниковые характеристики » Уровень Ферми собственных полупроводников

Кредиты

Сделано Команда Софтусвиста

Офис Софтусвиста (Пуна), Индия

Команда Софтусвиста создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Химанши Шарма

Технологический институт Бхилаи (НЕМНОГО), Райпур

Химанши Шарма проверил этот калькулятор и еще 800+!

< 13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках

Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)

Функция распределения Ферми Дирака

Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))

Запрещенная энергетическая зона

Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий

Проводимость внешних полупроводников для N-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона

Длина диффузии электронов

Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)

Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа

Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков

Концентрация основных носителей в полупроводнике

Уровень Ферми собственных полупроводников

Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2

Подвижность носителей заряда

Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока

Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока

Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения

Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение

Электрическое поле из-за напряжения Холла

Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Уровень Ферми собственных полупроводников формула

Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2

Как температура влияет на ширину запрещенной зоны?

Ширина запрещенной зоны полупроводников имеет тенденцию к уменьшению с повышением температуры. При повышении температуры амплитуда колебаний атомов увеличивается, что приводит к увеличению межатомного расстояния.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!