Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka półprzewodników

Charakterystyka diody

Charakterystyka nośnika ładunku

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Pasmo przewodnictwa Energia to pasmo energii w materiale, w którym elektrony mogą się swobodnie poruszać i uczestniczyć w przewodnictwie elektrycznym.ⓘ Energia pasma przewodnictwa [E_c]			+10% -10%
✖Energia pasma Valance'a jest jednym z pasm energii, które elektrony mogą zajmować w strukturze elektronowej materiału.ⓘ Energia pasma Valance'a [E_v]			+10% -10%

✖Fermi Level Intrinsic Semiconductor odnosi się do poziomu energii w paśmie wzbronionym materiału, który ma szczególne znaczenie w kontekście zachowania elektroniki.ⓘ Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników [E_Fi]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

Formuła

`"E"_{"Fi"} = ("E"_{"c"}+"E"_{"v"})/2`

Przykład

`"2.63eV"=("0.56eV"+"4.7eV")/2`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka półprzewodników Formuły PDF PDF Image

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego - (Mierzone w Dżul) - Fermi Level Intrinsic Semiconductor odnosi się do poziomu energii w paśmie wzbronionym materiału, który ma szczególne znaczenie w kontekście zachowania elektroniki.
Energia pasma przewodnictwa - (Mierzone w Dżul) - Pasmo przewodnictwa Energia to pasmo energii w materiale, w którym elektrony mogą się swobodnie poruszać i uczestniczyć w przewodnictwie elektrycznym.
Energia pasma Valance'a - (Mierzone w Dżul) - Energia pasma Valance'a jest jednym z pasm energii, które elektrony mogą zajmować w strukturze elektronowej materiału.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Energia pasma przewodnictwa: 0.56 Elektron-wolt --> 8.97219304800004E-20 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)
Energia pasma Valance'a: 4.7 Elektron-wolt --> 7.53023345100003E-19 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

E_Fi = (E_c+E_v)/2 --> (8.97219304800004E-20+7.53023345100003E-19)/2

Ocenianie ... ...

E_Fi = 4.21372637790002E-19

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4.21372637790002E-19 Dżul -->2.63 Elektron-wolt (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

2.63 Elektron-wolt <-- Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

Kredyty

Stworzone przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Himanshi Sharma

Bhilai Institute of Technology (KAWAŁEK), Raipur

Himanshi Sharma zweryfikował ten kalkulator i 800+ więcej kalkulatorów!

< 13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach

Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)

Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca

Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów

Długość dyfuzji elektronów

Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)

Pasmo energetyczne

Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)

Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2

Mobilność nośników ładunku

Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego

Gęstość prądu dryfu

Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego

Pole elektryczne wywołane napięciem Halla

Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika

Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego

Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników Formułę

Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2

Jak temperatura wpływa na przerwę wzbronioną?

Energia przerwy energetycznej półprzewodników ma tendencję do zmniejszania się wraz ze wzrostem temperatury. Wraz ze wzrostem temperatury wzrasta amplituda drgań atomów, co prowadzi do większych odstępów międzyatomowych.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!