Densità di corrente del foro Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica
Jh = JT-Je
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Densità di corrente del foro - (Misurato in Ampere per metro quadrato) - La densità di corrente delle lacune è definita come il movimento delle lacune è sempre opposto a quello degli elettroni corrispondenti.
Densità di corrente portante totale - (Misurato in Ampere per metro quadrato) - La densità di corrente portante totale è definita come la quantità di carica per unità di tempo che scorre attraverso un'area unitaria di una sezione trasversale scelta.
Densità di corrente elettronica - (Misurato in Ampere per metro quadrato) - La densità di corrente elettronica, detta densità di corrente, è una quantità fisica che descrive il flusso di carica elettrica per unità di area attraverso un materiale conduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Densità di corrente portante totale: 0.12 Ampere per metro quadrato --> 0.12 Ampere per metro quadrato Nessuna conversione richiesta
Densità di corrente elettronica: 0.03 Ampere per metro quadrato --> 0.03 Ampere per metro quadrato Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Jh = JT-Je --> 0.12-0.03
Valutare ... ...
Jh = 0.09
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.09 Ampere per metro quadrato --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.09 Ampere per metro quadrato <-- Densità di corrente del foro
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

18 Elettroni Calcolatrici

Funzione d'onda Phi-dipendente
​ Partire Φ Funzione d'onda dipendente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Numero quantico dell'onda*Angolo della funzione d'onda))
Ordine di diffrazione
​ Partire Ordine di diffrazione = (2*Spazio di innesto*sin(Angolo incidente))/Lunghezza d'onda del raggio
Componente foro
​ Partire Componente foro = Componente elettronico*Efficienza di iniezione dell'emettitore/(1-Efficienza di iniezione dell'emettitore)
Densità del flusso di elettroni
​ Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni
Mean Free Path
​ Partire Elettrone a cammino libero medio = (Densità del flusso di elettroni/(Differenza nella concentrazione di elettroni))*2*Tempo
Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone
​ Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)
Stato quantico
​ Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Conduttanza CA
​ Partire Conduttanza CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corrente elettrica
Componente elettronico
​ Partire Componente elettronico = ((Componente foro)/Efficienza di iniezione dell'emettitore)-Componente foro
Differenza nella concentrazione di elettroni
​ Partire Differenza nella concentrazione di elettroni = concentrazione di elettroni 1-concentrazione di elettroni 2
Densità di corrente della portante totale
​ Partire Densità di corrente portante totale = Densità di corrente elettronica+Densità di corrente del foro
Densità della corrente elettronica
​ Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro
Densità di corrente del foro
​ Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica
Moltiplicazione di elettroni
​ Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione
Tempo medio speso per buca
​ Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario
Elettrone fuori regione
​ Partire Numero di elettroni fuori regione = Moltiplicazione elettronica*Numero di elettroni nella regione
Elettrone in regione
​ Partire Numero di elettroni nella regione = Numero di elettroni fuori regione/Moltiplicazione elettronica
Ampiezza della funzione d'onda
​ Partire Ampiezza della funzione d'onda = sqrt(2/Lunghezza potenziale del pozzo)

15 Porta semiconduttori Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca
​ Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))
Densità del flusso di elettroni
​ Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni
Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone
​ Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)
Stato quantico
​ Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Funzione di Fermi
​ Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione
Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
Coefficiente di distribuzione
​ Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
Densità della corrente elettronica
​ Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro
Densità di corrente del foro
​ Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica
Moltiplicazione di elettroni
​ Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione
Tempo medio speso per buca
​ Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario
Eccessiva concentrazione del vettore
​ Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
Energia della banda di conduzione
​ Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza
Energia fotoelettronica
​ Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Densità di corrente del foro Formula

Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica
Jh = JT-Je

Cos'è la corrente di deriva?

La corrente di deriva è la corrente elettrica causata dalle particelle che vengono trascinate da un campo elettrico. Il termine è più comunemente usato nel contesto di elettroni e lacune nei semiconduttori, sebbene lo stesso concetto si applichi anche a metalli, elettroliti e così via.

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