Calculadora Densidad actual del agujero

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Portadores de semiconductores

Unión SSD

✖La densidad de corriente total del portador se define como la cantidad de carga por unidad de tiempo que fluye a través de una unidad de área de una sección transversal seleccionada.ⓘ Densidad de corriente total del portador [J_T]			+10% -10%
✖La densidad de corriente de electrones, denominada densidad de corriente, es una cantidad física que describe el flujo de carga eléctrica por unidad de área a través de un material conductor.ⓘ Densidad de corriente de electrones [J_e]			+10% -10%

✖La densidad de corriente del hueco se define como que el movimiento de los huecos siempre es opuesto al de los electrones correspondientes.ⓘ Densidad actual del agujero [J_h]

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Fórmula

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Densidad actual del agujero

Fórmula

`"J"_{"h"} = "J"_{"T"}-"J"_{"e"}`

Ejemplo

`"0.09A/m²"="0.12A/m²"-"0.03A/m²"`

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Densidad actual del agujero Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones
J_h = J_T-J_e
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Densidad de corriente del agujero - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente del hueco se define como que el movimiento de los huecos siempre es opuesto al de los electrones correspondientes.
Densidad de corriente total del portador - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente total del portador se define como la cantidad de carga por unidad de tiempo que fluye a través de una unidad de área de una sección transversal seleccionada.
Densidad de corriente de electrones - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente de electrones, denominada densidad de corriente, es una cantidad física que describe el flujo de carga eléctrica por unidad de área a través de un material conductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Densidad de corriente total del portador: 0.12 Amperio por metro cuadrado --> 0.12 Amperio por metro cuadrado No se requiere conversión
Densidad de corriente de electrones: 0.03 Amperio por metro cuadrado --> 0.03 Amperio por metro cuadrado No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

J_h = J_T-J_e --> 0.12-0.03

Evaluar ... ...

J_h = 0.09

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.09 Amperio por metro cuadrado --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.09 Amperio por metro cuadrado <-- Densidad de corriente del agujero

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 18 electrones Calculadoras

Función de onda dependiente de Phi

Vamos Φ función de onda dependiente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Número cuántico de onda*Ángulo de función de onda))

Orden de Difracción

Vamos Orden de Difracción = (2*Espacio de injerto*sin(Ángulo de incidencia))/Longitud de onda del rayo

Densidad de flujo de electrones

Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones

Componente de agujero

Vamos Componente de agujero = Componente de electrones*Eficiencia de inyección del emisor/(1-Eficiencia de inyección del emisor)

Camino libre medio

Vamos Electrón de camino libre medio = (Densidad de flujo de electrones/(Diferencia en la concentración de electrones))*2*Tiempo

Radio de la enésima órbita del electrón

Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado cuántico

Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)

Componente de electrones

Vamos Componente de electrones = ((Componente de agujero)/Eficiencia de inyección del emisor)-Componente de agujero

Conductancia de CA

Vamos Conductancia de CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corriente eléctrica

Densidad total de la corriente del portador

Vamos Densidad de corriente total del portador = Densidad de corriente de electrones+Densidad de corriente del agujero

Densidad de corriente de electrones

Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero

Densidad actual del agujero

Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones

Diferencia en la concentración de electrones

Vamos Diferencia en la concentración de electrones = Concentración de electrones 1-Concentración de electrones 2

Multiplicación de electrones

Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región

Electrón fuera de la región

Vamos Número de electrones fuera de la región = Multiplicación de electrones*Número de electrones en la región

electrón en la región

Vamos Número de electrones en la región = Número de electrones fuera de la región/Multiplicación de electrones

Tiempo medio gastado por hoyo

Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario

Amplitud de la función de onda

Vamos Amplitud de la función de onda = sqrt(2/Longitud potencial del pozo)

< 15 Portadores de semiconductores Calculadoras

Concentración de portador intrínseco

Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))

Densidad de flujo de electrones

Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones

Radio de la enésima órbita del electrón

Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado cuántico

Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)

Función Fermi

Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Estado de densidad efectiva en la banda de valencia

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)

Densidad de corriente de electrones

Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero

Densidad actual del agujero

Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones

Coeficiente de distribución

Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido

Multiplicación de electrones

Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región

Exceso de concentración de portadores

Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación

Tiempo medio gastado por hoyo

Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario

Energía de banda de conducción

Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia

Energía de fotoelectrones

Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Densidad actual del agujero Fórmula

Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones
J_h = J_T-J_e

¿Qué es la corriente de deriva?

La corriente de deriva es la corriente eléctrica causada por partículas que son arrastradas por un campo eléctrico. El término se usa más comúnmente en el contexto de electrones y huecos en semiconductores, aunque el mismo concepto también se aplica a metales, electrolitos, etc.

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